集積回路チップ構造及びその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：坂口博 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000245862
Publication number (International publication number)：2001102453
Application date： Aug. 14, 2000
Publication date： Apr. 13, 2001
Summary：

【要約】【課題】 CVDダイヤモンドを半犠牲層間および層内誘電体として供給することによって、空気またはその他の気体を永久誘電媒体として多層チップに組み込むための構造およびプロセスを提供すること。【解決手段】 CVDダイヤモンドを半犠牲層間および層内誘電体として供給し、その後、等方性酸素エッチングで半犠牲誘電体を少なくとも部分的に除去する。開示の1変形例は、最終的永久CVDダイヤモンド封入材を提供して、気体誘電媒体をチップ内に閉じ込めることを含む。

Claim (excerpt)：

誘電性封入材によってチップ内に閉じ込められた気体誘電媒体を多層の少なくとも1つに含む、多層相互集積回路チップ構造。

IPC (2)：

H01L 21/768 , H01L 21/314

FI (2)：

H01L 21/314 A , H01L 21/90 N

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

半導体デバイスの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-325051 Applicant：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト
層間絶縁膜の形成方法およびこれを用いた半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-225280 Applicant：ソニー株式会社
半導体デバイスおよび相互接続構造の作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-173771 Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション

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