低抵抗n型ダイヤモンドの合成法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：西義之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998208611
Publication number (International publication number)：2000026194
Application date： Jul. 07, 1998
Publication date： Jan. 25, 2000
Summary：

【要約】【課題】透明低抵抗n型ダイヤモンドの製造。【解決手段】気相成長法、スパッタリング法、または高温高圧合成法によりダイヤモンドを合成させる際に、n型ドーパントであるN、P、またはAsとp型ドーパントであるHを同時にドーピングすることにより結晶中にドナー・アクセプター対を形成させて低抵抗のn型ダイヤモンドを合成する。

Claim (excerpt)：

気相成長法またはスパッタリング法により単結晶ダイヤモンド薄膜を基板上で成長させる際に、n型ドーパントであるN、P、またはAsとp型ドーパントであるHを同時にドーピングすることにより結晶中にドナー・アクセプター対を形成させて低抵抗n型ダイヤモンド単結晶薄膜を合成する方法。

IPC (4)：

C30B 29/04 , B01J 3/06 , H01L 21/203 , H01L 21/205

FI (4)：

C30B 29/04 R , B01J 3/06 R , H01L 21/203 S , H01L 21/205

F-Term (51)：

4G077AA03 , 4G077AB01 , 4G077BA03 , 4G077CA03 , 4G077CA08 , 4G077DA11 , 4G077DB01 , 4G077DB18 , 4G077DB22 , 4G077DB24 , 4G077DB25 , 4G077EA04 , 4G077EB01 , 4G077EB02 , 4G077FE14 , 4G077FE16 , 4G077FH01 , 4G077FH07 , 4G077FH08 , 4G077GA01 , 4G077HA02 , 4G077HA06 , 5F045AA04 , 5F045AA05 , 5F045AA19 , 5F045AB07 , 5F045AC01 , 5F045AC19 , 5F045AD07 , 5F045AD08 , 5F045AD09 , 5F045AD10 , 5F045AD11 , 5F045AD12 , 5F045AD13 , 5F045DA66 , 5F045EE15 , 5F045HA16 , 5F045HA18 , 5F103AA04 , 5F103AA08 , 5F103BB06 , 5F103DD30 , 5F103GG01 , 5F103HH03 , 5F103JJ03 , 5F103KK10 , 5F103LL03 , 5F103PP03 , 5F103PP20 , 5F103RR05

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (7)

ダイヤモンドn型半導体膜の製造方法およびその装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-310269 Applicant：三菱重工業株式会社
リンドープダイヤモンドの合成法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-252376 Applicant：科学技術庁無機材質研究所長
特開平3-023295

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Cited by examiner (5)

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