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J-GLOBAL ID：200903017573113328

電界効果トランジスタ

Inventor：
増田 哲

About 増田 哲


Applicant, Patent owner：
富士通株式会社

About 富士通株式会社


Agent (2)： 高橋 敬四郎 ,  来山 幹雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007217254
Publication number (International publication number)：2009054632
Application date： Aug. 23, 2007
Publication date： Mar. 12, 2009
Summary：
【課題】 歩留まりの低下を抑制し、かつ良好な高周波特性を維持することが可能な電界効果トランジスタを提供する。【解決手段】 活性領域と交差するように、少なくとも2つのドレインオーミック接触部が配置されている。ドレインオーミック接触部の間に、ソースオーミック接触部が配置されている。素子分離領域上のドレイン連結部が、ドレインオーミック接触部の同じ側の端部同士を接続する。ドレインオーミック接触部とソースオーミック接触部との間に、ゲートフィンガが配置されている。素子分離領域上のゲート給電配線が、ゲートフィンガ同士を、ドレイ連結部が配置された側とは反対側の端部において接続する。ゲート先端連結部が、ソースオーミック接触部を挟んで隣り合う2つのゲートフィンガ同士を、ドレイン連結部が配置された側の端部において接続する。ゲート先端連結部は、ドレイオーミック接触部及びドレイン連結部のいずれとも交差しない。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
表層部に、活性領域と、該活性領域を取り囲む素子分離領域とが画定された半導体基板と、 前記半導体基板の上に、該活性領域と交差するように配置された少なくとも2つのドレインオーミック接触部と、 相互に隣り合う2つのドレインオーミック接触部の間の前記半導体基板上に、前記活性領域と交差するように配置されたソースオーミック接触部と、 前記半導体基板の前記素子分離領域上に配置され、前記ドレインオーミック接触部の同じ側の端部同士を接続するドレイン連結部と、 前記ドレインオーミック接触部とソースオーミック接触部との間の各領域の前記半導体基板上に、前記活性領域と交差するように配置されたゲートフィンガと、 前記半導体基板の素子分離領域上に配置され、前記ゲートフィンガ同士を、前記ドレイ連結部が配置された側とは反対側の端部において接続し、該ゲートフィンガにゲート電圧を供給するゲート給電配線と、 前記ソースオーミック接触部を挟んで隣り合う2つのゲートフィンガ同士を、前記ドレイン連結部が配置された側の端部において接続するとともに、前記ドレイオーミック接触部及びドレイン連結部のいずれとも交差しないように配置されたゲート先端連結部と を有する電界効果トランジスタ。
IPC (5)：
H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/41
FI (4)：
H01L29/80 L ,  H01L29/80 H ,  H01L21/28 301B ,  H01L29/44 L
F-Term (31)：
4M104AA03 ,  4M104AA04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB17 ,  4M104CC03 ,  4M104EE05 ,  4M104EE12 ,  4M104EE17 ,  4M104FF01 ,  4M104FF17 ,  4M104GG12 ,  4M104HH20 ,  5F102FA02 ,  5F102GA01 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GC05 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM08 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR09 ,  5F102GS01 ,  5F102GS03 ,  5F102GS09 ,  5F102GT03 ,  5F102GV08 ,  5F102HC01 ,  5F102HC15
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2)
  • 半導体装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-305727   Applicant：富士通株式会社
  • マイクロ波スイッチ素子
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-086589   Applicant：株式会社東芝
Cited by examiner (6)
  • 特開平4-302149
  • 半導体装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-373612   Applicant：松下電器産業株式会社
  • 特開平4-115555
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