Pat
J-GLOBAL ID:200903017604378708
透明導電膜形成方法、該方法により形成された透明導電膜および該透明導電膜を有する物品
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002167088
Publication number (International publication number):2003234028
Application date: Jun. 07, 2002
Publication date: Aug. 22, 2003
Summary:
【要約】【課題】 安全性が高く、生産性に優れ、良好な光学及び電気特性、プラスチックフィルム基材上での優れた限界曲率半径を有する透明導電膜の形成方法、該方法によって形成された透明導電膜および該透明導電膜を有する物品を提供する。【解決手段】 大気圧または大気圧近傍の圧力下で、反応性ガスを放電空間に導入してプラズマ状態とし、基材を前記プラズマ状態の反応性ガスに晒すことによって、前記基材上に透明導電膜を形成する透明導電膜形成方法において、前記反応性ガスが、還元ガスを含有する。
Claim (excerpt):
大気圧または大気圧近傍の圧力下で、反応性ガスを放電空間に導入してプラズマ状態とし、基材を前記プラズマ状態の反応性ガスに晒すことによって、前記基材上に透明導電膜を形成する透明導電膜形成方法において、前記反応性ガスが、還元ガスを含有することを特徴とする透明導電膜形成方法。
IPC (8):
H01B 13/00 503
, B01J 19/08
, C23C 16/505
, C23C 16/513
, G02F 1/1333 500
, G02F 1/1343
, H01B 5/14
, H01M 14/00
FI (8):
H01B 13/00 503 B
, B01J 19/08 H
, C23C 16/505
, C23C 16/513
, G02F 1/1333 500
, G02F 1/1343
, H01B 5/14 A
, H01M 14/00 P
F-Term (55):
2H090JA06
, 2H090JB03
, 2H090JC04
, 2H090JD01
, 2H090LA01
, 2H092HA04
, 2H092MA08
, 2H092NA01
, 2H092NA28
, 2H092PA01
, 4G075AA24
, 4G075AA30
, 4G075BC01
, 4G075BC04
, 4G075BD14
, 4G075CA14
, 4G075CA25
, 4G075CA47
, 4G075CA62
, 4G075CA63
, 4G075EC21
, 4G075FC11
, 4K030AA17
, 4K030BA35
, 4K030BA42
, 4K030BA45
, 4K030CA07
, 4K030CA12
, 4K030EA03
, 4K030FA01
, 4K030JA09
, 4K030JA16
, 4K030JA18
, 4K030KA17
, 4K030KA30
, 4K030LA01
, 4K030LA11
, 5G307FA02
, 5G307FB01
, 5G307FC03
, 5G307FC09
, 5G323BA02
, 5G323BB03
, 5G323BC02
, 5H032AA06
, 5H032AS16
, 5H032BB05
, 5H032BB07
, 5H032EE02
, 5H032EE04
, 5H032EE07
, 5H032HH00
, 5H032HH01
, 5H032HH06
, 5H032HH08
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (4)
-
半導体素子の製造方法及びその装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-348738
Applicant:積水化学工業株式会社, 株式会社ケミトロニクス
-
透明導電膜の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-151216
Applicant:住友ベークライト株式会社
-
透明導電膜の形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-100530
Applicant:大倉工業株式会社
-
透明導電積層体の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-203214
Applicant:帝人株式会社
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Cited by examiner (4)
-
半導体素子の製造方法及びその装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-348738
Applicant:積水化学工業株式会社, 株式会社ケミトロニクス
-
透明導電膜の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-151216
Applicant:住友ベークライト株式会社
-
透明導電膜の形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-100530
Applicant:大倉工業株式会社
-
透明導電積層体の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-203214
Applicant:帝人株式会社
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