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J-GLOBAL ID:200903017626609690
金属材料層の製造方法及び電子デバイスの製造方法
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
立石 琢也
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2005275177
Publication number (International publication number):2007088205
Application date: Sep. 22, 2005
Publication date: Apr. 05, 2007
Summary:
【課題】 損傷が起きる可能性が小さく、容易な金属材料層等の製造方法を提供する。【解決手段】 本発明の一つの側面は、基板上にレジスト層を形成する工程と、前記レジスト層をパターニングすることによってレジストパターンを形成する工程と、前記基板上及び前記レジストパターン上に有機金属溶液を配置する工程と、前記有機金属溶液の溶媒を除去する溶媒除去工程と、前記溶媒除去工程の後に前記レジストパターンを除去するリフトオフ工程とを有する金属材料層の製造方法にある。本構成によれば、損傷が起きる可能性が小さく、容易な金属材料層等の製造方法が得られる。【選択図】 図2
Claim (excerpt):
基板上にレジスト層を形成する工程と、
前記レジスト層をパターニングすることによってレジストパターンを形成する工程と、
前記基板上及び前記レジストパターン上に有機金属溶液を配置する工程と、
前記有機金属溶液の溶媒を除去する溶媒除去工程と、
前記溶媒除去工程の後に前記レジストパターンを除去するリフトオフ工程と
を有する金属材料層の製造方法。
IPC (3):
H01L 39/24
, H01L 21/28
, H01L 21/320
FI (3):
H01L39/24 F
, H01L21/28 E
, H01L21/88 G
F-Term (18):
4M104BB36
, 4M104DD68
, 4M104GG20
, 4M113AD36
, 4M113AD40
, 4M113BA21
, 4M113BA29
, 4M113BA30
, 4M113BC02
, 4M113CA35
, 4M113CA43
, 5F033HH38
, 5F033HH40
, 5F033QQ41
, 5F033RR03
, 5F033SS22
, 5F033XX00
, 5F033XX33
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (6)
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