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J-GLOBAL ID：200903017706223997

サファイア基板及びこれを用いたデバイス用基板

Inventor： 川端 一司
Applicant, Patent owner： 京セラ株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000112722
Publication number (International publication number)：2001298170
Application date： Apr. 13, 2000
Publication date： Oct. 26, 2001
Summary：

【要約】【課題】サファイア基板を用いた薄肉で放熱性に優れたデバイス用基板を提供する。【解決手段】0.02〜0.15mmの板厚を有するサファイア基板1上に半導体膜2を被覆してデバイス用基板を構成する。

Claim (excerpt)：

基板の板厚を0.02〜0.15mmとして成るサファイア基板。

IPC (3)：

H01L 27/12 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/32

FI (5)：

H01L 27/12 S ,  H01L 33/00 A ,  H01L 33/00 C ,  H01L 33/00 D ,  H01S 5/32

F-Term (12)：

5F041AA03 ,  5F041AA11 ,  5F041AA33 ,  5F041AA47 ,  5F041CA23 ,  5F041CA33 ,  5F041CA35 ,  5F041CA40 ,  5F041CA41 ,  5F041CA46 ,  5F073CB05 ,  5F073EA29

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 化合物半導体の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-282223   Applicant：株式会社東芝
• 窒化物半導体レーザ素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-284933   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 窒化物半導体レーザ素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-333884   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 窒化ガリウム系半導体ウエハ及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-074171   Applicant：三洋電機株式会社, 鳥取三洋電機株式会社
• 半導体装置とその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-112493   Applicant：セイコーエプソン株式会社