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J-GLOBAL ID：200903087871594914

窒化ガリウム系半導体ウエハ及びその製造方法

Inventor：
松下 保彦

About 松下 保彦


Applicant, Patent owner：
三洋電機株式会社

About 三洋電機株式会社

, 
鳥取三洋電機株式会社

About 鳥取三洋電機株式会社


Agent (1)： 安富 耕二 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998074171
Publication number (International publication number)：1999274559
Application date： Mar. 23, 1998
Publication date： Oct. 08, 1999
Summary：
【要約】【課題】 ウエハの製造に要する時間を大幅に短縮することができる窒化ガリウム系半導体ウエハ、並びにその製造方法を提供することを課題とする。【解決手段】 表面3が溝4によって複数の領域に分割されたサファイヤ基板2の表面3に窒化ガリウム系半導体6を積層していることを基本的な特徴とする。サファイヤ基板2の表面3が溝4によって複数の領域5に分割されているので、溝4が、サファイヤ基板2の表面3に積層した窒化ガリウム系半導体6の結晶成長の連続性を断ち切るように機能する。その結果、サファイヤ基板2と窒化ガリウム系半導体6の格子定数差や熱膨張率差に起因する応力発生範囲を、溝4によって区切られた狭い領域5に分割することができ、ウエハ1全体の反りを小さく抑制することが可能になる。
Claim (excerpt)：
表面が溝によって複数の領域に分割されたサファイヤ基板の前記表面に窒化ガリウム系半導体を積層していることを特徴とする窒化ガリウム系半導体ウエハ。
IPC (4)：
H01L 33/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/301 ,  H01L 21/86
FI (4)：
H01L 33/00 C ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/78 L ,  H01L 21/86
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (5)
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Cited by examiner (5)
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