半導体レーザアセンブリ

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：大澤斌 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001103557
Publication number (International publication number)：2002299744
Application date： Apr. 02, 2001
Publication date： Oct. 11, 2002
Summary：

【要約】【課題】従来に比べて、半導体レーザ素子の素子寿命が長く、信頼性に優れ、全体の機械的強度が高い半導体レーザアセンブリを提供する。【解決手段】本半導体レーザアセンブリ30は、半導体レーザ素子32と、第1のインジウム半田層34を介して半導体レーザ素子32の基板側に接合されているSiC製サブマウント36と、第2のインジウム半田層38を介してサブマウント36の裏面側に接合されているCu製ヒートシンク40とを備えている。本半導体レーザアセンブリでは、サブマウントの厚さが厚くなると、半導体レーザ素子に生じる応力が圧縮応力から引っ張り応力に変化するので、サブマウントの厚さを適正に設定すことにより、半導体レーザ素子32に発生する応力を実質的にゼロ(0)にすることができる。よって、発生した応力により歪みが半導体レーザ素子内に生じ、半導体レーザ素子が損傷するようなことが生じないので、半導体レーザ素子の素子寿命が長くなり、動作信頼性が向上する。

Claim (excerpt)：

半導体レーザ素子と、第1の半田層を介して半導体レーザ素子の基板側に接合されているサブマウントと、第2の半田層を介してサブマウントの裏面側に接合されているヒートシンクとを備えた半導体レーザアセンブリにおいて、ヒートシンクは、熱膨張係数が半導体レーザ素子の熱膨張係数より大きい金属で形成され、サブマウントは、熱膨張係数が半導体レーザ素子の熱膨張係数より小さい金属で形成され、かつ半導体レーザアセンブリを半田層の溶融温度から室温に冷却したとき、半導体レーザ素子に生じる応力が実質的にゼロ(0)になる厚さを有することを特徴とする半導体レーザアセンブリ。

F-Term (5)：

5F073CA02 , 5F073EA28 , 5F073FA15 , 5F073FA22 , 5F073FA30

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

半導体発光装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-105149 Applicant：富士通株式会社
光半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-166495 Applicant：株式会社東芝
光デバイスの組立構造
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-016814 Applicant：三菱電機株式会社

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