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J-GLOBAL ID:200903018057926416
処理装置及び処理方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
萩原 康司 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1997154435
Publication number (International publication number):1998335298
Application date: May. 27, 1997
Publication date: Dec. 18, 1998
Summary:
【要約】【課題】 処理液供給機構と処理気体供給機構の切り換え時間を節約でき,しかもこれらに係る駆動手段を簡略化できる基板の処理装置及び処理方法を提供する。【解決手段】 ウェハWを回転自在に保持するスピンチャック10と,スピンチャック10に保持されたウェハWの表面に1又は2以上の処理液と処理気体を供給する供給手段30を備えた処理装置7において,供給手段30を,処理液を吐出する薬液供給回路33の吐出孔40や純水供給回路34の吐出孔41及び処理気体を吐出するIPA蒸気供給回路35の吐出孔42が何れも下面43に開口している集合体ノズル体31と,これらをスピンチャック10に保持されたウェハWの上方に同時に移動させる回動アーム32で構成したことを特徴とする。
Claim (excerpt):
基板を回転自在に保持する保持手段と,該保持手段に保持された基板の表面に1又は2以上の処理液と処理気体を供給する供給手段を備えた処理装置において,前記供給手段を,処理液を吐出する処理液供給機構及び処理気体を吐出する処理気体供給機構と,これら処理液供給機構及び処理気体供給機構を,前記保持手段に保持された基板の上方に同時に移動させる移動部材で構成したことを特徴とする処理装置。
IPC (3):
H01L 21/304 351
, H01L 21/304 341
, B08B 3/02
FI (3):
H01L 21/304 351 S
, H01L 21/304 341 N
, B08B 3/02 B
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
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現像処理方法および装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-152526
Applicant:株式会社日立製作所, 日立東京エレクトロニクス株式会社
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板状試料表面の処理方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-082255
Applicant:株式会社日立製作所
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半導体ウェーハの洗浄・エッチング・乾燥装置及びその使用方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-225249
Applicant:松下電子工業株式会社
-
ウエハ処理装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-325145
Applicant:株式会社東芝
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