半導体ウェーハの洗浄・エッチング・乾燥装置及びその使用方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：前田弘 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995225249
Publication number (International publication number)：1997069509
Application date： Sep. 01, 1995
Publication date： Mar. 11, 1997
Summary：

【要約】【課題】ディップ式洗浄装置と同程度の洗浄効率を維持しながら、薬液及び超純水の消費量を低減するとともに、薬液からの再汚染及びしみの発生等を防止する。【解決手段】半導体ウェーハの洗浄、エッチング及び乾燥を行うための装置である。密閉空間2内の温度をヒーター3により加熱調整可能に構成されたプロセスチャンバー1と、該チャンバー内の中央部に設置され、単数又は複数の被洗浄ウェーハ5を支持するメッシュ4と、チャンバー内の上部にライン状に配置された複数本のスプレーノズル7と、チャンバー内の下部に配置された回転式の吐出ノズル8とを備える。スプレーノズル7からは薬液及び超純水を窒素ガスと共に噴霧状に噴出させ、吐出ノズルからは薬液及び超純水を、公転アーム12と自転アーム14との回転によりジェット水流として噴出させる。

Claim (excerpt)：

半導体ウェーハの洗浄、エッチング及び乾燥を行うための装置であって、密閉空間を有し該空間内の温度をヒーターにより加熱調整可能に構成されたプロセスチャンバーと、該プロセスチャンバー内の中央部に設置され、単数又は複数の被洗浄ウェーハを支持する支持部材と、前記プロセスチャンバー内の上部にライン状に配置された複数本のスプレーノズルと、前記プロセスチャンバー内の下部に配置された回転式の吐出ノズルとを備えたことを特徴とする半導体ウェーハの洗浄・エッチング・乾燥装置。

IPC (3)：

H01L 21/304 341 , H01L 21/304 , H01L 21/304 351

FI (3)：

H01L 21/304 341 N , H01L 21/304 341 L , H01L 21/304 351 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

ウエハ湿式処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-179849 Applicant：住友精密工業株式会社
シリコン自然酸化膜の選択的除去方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-220942 Applicant：大日本スクリーン製造株式会社, 渡辺信淳
洗浄装置、半導体製造装置及び半導体製造ライン
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-292281 Applicant：大見忠弘

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