薄膜構成体の加工方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999006815
Publication number (International publication number)：2000208799
Application date： Jan. 13, 1999
Publication date： Jul. 28, 2000
Summary：

【要約】【課題】通常のレーザ加工では困難とされていた数μmオーダーの厚みの薄膜積層体のレーザ加工を精度良く一度のレーザ加工で実現すること。【解決手段】前記レーザパルスの照射元が波長や焦点位置の異なる複数のレーザ発振器と該レーザ発振器からのレーザ光線を略同一の加工点に集光する光学系で構成され、前記複数の異なるレーザ発振器のQスイッチの動作が同期して動作し、パルス発生のタイミングを相互に調整できるようにする。特に厚い半導体層を有する薄膜太陽電池の加工に有効な発明である。

Claim (excerpt)：

基板上に形成された薄膜構成体を、レーザパルスを照射して、一部または全部の薄膜層を他の薄膜層からあるいは基板から切り離す薄膜構成体の加工方法において、前記レーザパルスの照射元が異なる形式の複数のレーザ発振器と該レーザ発振器からのレーザ光線を略同一の加工点に集光する光学系で構成され、前記複数のレーザ発振器のQスイッチの動作が同期して動作し、パルス発生のタイミングを相互に調整できることを特徴とする薄膜構成体のレーザ加工方法。

IPC (3)：

H01L 31/04 , B23K 26/00 , H01S 3/00

FI (3)：

H01L 31/04 Q , B23K 26/00 C , H01S 3/00 B

F-Term (20)：

4E068AC01 , 4E068CA03 , 4E068CA04 , 4E068CA09 , 4E068CA11 , 4E068CD02 , 4E068CD05 , 4E068CK01 , 4E068DA09 , 5F051BA14 , 5F051EA09 , 5F051EA10 , 5F051EA11 , 5F051EA16 , 5F072AB02 , 5F072HH05 , 5F072HH07 , 5F072SS06 , 5F072SS08 , 5F072YY08

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

太陽電池の短絡部除去方法及び該短絡部除去装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-163964 Applicant：鐘淵化学工業株式会社
特開平1-192492
特開平4-190988

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