薄膜形成装置及びそれを用いた薄膜形成法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：丸島儀一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998029744
Publication number (International publication number)：1999001771
Application date： Feb. 12, 1998
Publication date： Jan. 06, 1999
Summary：

【要約】【課題】薄膜の厚さ及び光学的特性或いは電気的特性が面内において均一大面積の薄膜を高い堆積速度で形成する。【解決手段】基板(2)を保持する為の基板保持手段(7)と、ターゲット(1)を保持する為のターゲット保持手段(12)と、該ターゲットをスパッタリングする為のスパッタガスを反応室内に供給するスパッタガス供給手段(3)と、反応ガスを供給する為の反応ガス供給手段(4)と、該ターゲットと該基板間に放電を起こす為の電力を供給する電力供給手段(8)とを備えた反応性スパッタリング装置において、ターゲットと該基板との間に複数の開孔を有する仕切り部材(6)が設けられ、該ターゲットと該仕切り部材との間の空間に該スパッタガスを供給し、該基板と該仕切り部材との間に該反応ガスを供給するように、該スパッタガスの供給口(10)及び該反応ガスの供給口(11)が互いに離間して設けられている。

Claim (excerpt)：

基板を保持する為の基板保持手段と、ターゲットを保持する為のターゲット保持手段と、該ターゲットをスパッタリングする為のスパッタガスを反応室内に供給するスパッタガス供給手段と、反応ガスを供給する為の反応ガス供給手段と、該ターゲットと該基板間に放電を起こす為の電力を供給する電力供給手段とを備えた薄膜形成装置において、該ターゲットと該基板との間に複数の開孔を有する仕切り部材が設けられ、該ターゲットと該仕切り部材との間の空間に該スパッタガスを供給し、該基板と該仕切り部材との間に該反応ガスを供給するように、該スパッタガスの供給口及び該反応ガスの供給口が互いに離間して設けられ、該仕切り部材の電位を所定の電位に設定する為の電位設定手段が設けられていることを特徴とする薄膜形成装置。

IPC (3)：

C23C 14/34 , H01L 21/203 , H01L 21/285

FI (3)：

C23C 14/34 T , H01L 21/203 S , H01L 21/285 S

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

特公昭61-027462
特開昭62-099461
スパッタリング用ターゲットおよびそれを用いたスパッタリング装置とスパッタリング法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-178900 Applicant：富士通株式会社

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