基板処理装置および基板処理方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：稲岡耕作 , 川崎実夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006294470
Publication number (International publication number)：2007227878
Application date： Oct. 30, 2006
Publication date： Sep. 06, 2007
Summary：

【課題】二流体ノズルを用いた基板処理における一層の低ダメージ化を実現する。【解決手段】この基板処理装置は、二流体ノズル2を備えている。二流体ノズル2には、液体吐出口41とそのまわりに円環状に設けられた気体吐出口36とが形成されている。二流体ノズル2に、純水と窒素ガスとを導入すると、それらは、それぞれ液体吐出口41および気体吐出口36から吐出されて混合され、液滴噴流となってウエハWに向けて供給される。気体吐出口36の外径aは2ミリメートル以上3.5ミリメートル以下であり、その幅cは0.05ミリメートル以上0.2ミリメートル以下である。ウエハW表面における液滴密度は、毎分108個/平方ミリメートル以上である。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

処理対象の基板を保持する基板保持機構と、ケーシング、処理液を吐出する液体吐出口および気体を吐出する気体吐出口を有し、前記ケーシング内に処理液および気体を導入し、前記ケーシング外で前記液体吐出口から吐出される処理液と前記気体吐出口から吐出される気体とを混合して前記処理液の液滴を形成し、この液滴を前記基板保持機構に保持された基板の表面に供給する二流体ノズルとを含み、前記二流体ノズルから供給される液滴の前記基板表面における密度が、毎分108個/平方ミリメートル以上である、基板処理装置。

IPC (1)：

H01L 21/304

FI (3)：

H01L21/304 643C , H01L21/304 648G , H01L21/304 648K

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

基板洗浄装置及び基板洗浄方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-351830 Applicant：大日本スクリーン製造株式会社

Cited by examiner (7)

基板処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-151249 Applicant：大日本スクリーン製造株式会社
洗浄装置および洗浄方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-127984 Applicant：三菱電機株式会社, 菱電セミコンダクタシステムエンジニアリング株式会社
二流体ノズル及び噴霧方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-110313 Applicant：株式会社共立合金製作所

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