半導体素子からなる半導体回路を備えた半導体装置およびその作製方法

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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998202376
Publication number (International publication number)：2000036598
Application date： Jul. 16, 1998
Publication date： Feb. 02, 2000
Summary：

【要約】【課題】本発明は、同一基板上に同時に異なるLDD構造を有する生産性の高いTFTの作製方法およびその構造を提供することを目的としている。即ち、本発明はTFTの新規な構造と生産性の高い製造工程を提供するものである。【解決手段】耐熱性の高いTa膜またはTaを主成分とする膜を配線材料に用い、さらに保護層で覆うことで、高温(400〜700°C)での加熱処理を施すことが可能となり、且つ保護層をエッチングストッパーとして用いることで周辺駆動回路部においては、サイドウォール126を用いた自己整合プロセス(セルフアライン)によるLDD構造を備えたTFTを配置する一方、画素マトリクス部においては、絶縁物125を用いた非自己整合プロセス(ノンセルフアライン)によるLDD構造を備えたTFTを配置する

Claim (excerpt)：

絶縁表面を有する基板上にソース領域と、ドレイン領域と、前記ソース領域と前記ドレイン領域の間に形成されているチャネル形成領域と、少なくとも前記チャネル形成領域上に接して形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜に接して形成されたゲート電極と、少なくとも前記ゲート電極の上面または側面を覆う保護膜とを有していることを特徴とする半導体素子からなる半導体回路を備えた半導体装置。

IPC (2)：

H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (4)：

H01L 29/78 617 J , H01L 29/78 616 A , H01L 29/78 617 L , H01L 29/78 627 G

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

薄膜トランジスタおよび液晶表示装置用アクティブマトリックスアレイとそれらの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-053553 Applicant：松下電器産業株式会社
アクティブマトリクス回路
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-154177 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
液晶表示装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-265503 Applicant：ソニー株式会社

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