3-5族化合物半導体の製造方法および発光素子

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：久保山隆 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996322911
Publication number (International publication number)：1998163523
Application date： Dec. 03, 1996
Publication date： Jun. 19, 1998
Summary：

【要約】【課題】生産性が高く、歩留まりが向上した、特性の安定な3-5族化合物半導体の製造方法およびこれを用いた発光素子を提供する。【解決手段】〔1〕一般式Ga<SB>a </SB>Al<SB>b </SB>N(式中、0≦a≦1、0≦b≦1、a+b=1)で表される3-5族化合物半導体からなる第1の層を1000°Cを超える温度で成長させた後、一般式In<SB>x </SB>Ga<SB>y </SB>Al<SB>z </SB>N(式中、0<x≦1、0≦y<1、0≦z<1、x+y+z=1)で表される3-5族化合物半導体層からなる第2の層を1000°C以下で成長させる3-5族化合物半導体の成長方法において、第2の層を成長させる前に一般式Ga<SB>v </SB>Al<SB>w </SB>N(式中、0≦v≦1、0≦w≦1、v+w=1)で表される3-5族化合物半導体からなる第3の層を1000°C以下の温度で成長させる3-5族化合物半導体の製造方法。〔2〕前記〔1〕記載の3-5族化合物半導体の製造方法により得られた発光素子。

Claim (excerpt)：

一般式Ga<SB>a </SB>Al<SB>b </SB>N(式中、0≦a≦1、0≦b≦1、a+b=1)で表される3-5族化合物半導体からなる第1の層を1000°Cを超える温度で成長させた後、一般式In<SB>x </SB>Ga<SB>y </SB>Al<SB>z </SB>N(式中、0<x≦1、0≦y<1、0≦z<1、x+y+z=1)で表される3-5族化合物半導体層からなる第2の層を1000°C以下で成長させる3-5族化合物半導体の成長方法において、第2の層を成長させる前に一般式Ga<SB>v </SB>Al<SB>w </SB>N(式中、0≦v≦1、0≦w≦1、v+w=1)で表される3-5族化合物半導体からなる第3の層を1000°C以下の温度で成長させることを特徴とする3-5族化合物半導体の製造方法。

IPC (3)：

H01L 33/00 , H01L 21/205 , H01L 21/28 301

FI (3)：

H01L 33/00 A , H01L 21/205 , H01L 21/28 301 H

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-209271 Applicant：豊田合成株式会社
半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-310173 Applicant：豊田合成株式会社, 株式会社豊田中央研究所
3族窒化物半導体レーザ素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-227890 Applicant：豊田合成株式会社, 株式会社豊田中央研究所, 赤崎勇, 天野浩

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