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J-GLOBAL ID:200903018562437683

有機単分子膜の形成方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 小池 隆彌
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998148869
Publication number (International publication number):1999340544
Application date: May. 29, 1998
Publication date: Dec. 10, 1999
Summary:
【要約】【課題】 従来の有機単分子膜の形成方法では、単純な直線あるいはT字型のパターン形成しかできなかった。従って、ナノメータレベルの幅を有し、かつ、ピンホールが無く規則正しく分子が配列した自己組織化有機単分子膜の任意のパターンを作製することのできる有機単分子膜の形成方法が求められていた。【解決手段】 上記問題を解決するための本発明に係る有機単分子膜の形成方法は、表面に保護膜を有する半導体基板に、探針を用いて前記保護層を除去することで所望のパターン形成を行い、前記パターン形成によって露出した半導体基板にチオール分子を吸着させることで、選択的に有機単分子膜をパターン形成することを特徴とする。
Claim (excerpt):
表面に保護膜を有する半導体基板を非酸化雰囲気内に載置し、探針を用いて前記半導体基板表面上の保護層を除去することで所望のパターン形成を行い、前記パターン形成によって露出した半導体基板にチオール分子を吸着させることで、選択的に有機単分子膜をパターン形成することを特徴とする有機単分子膜の形成方法。
IPC (2):
H01L 51/00 ,  C09K 9/02
FI (2):
H01L 29/28 ,  C09K 9/02 Z
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (6)
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