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J-GLOBAL ID：200903018639572570

SIMOX基板の製造方法及び該方法により得られるSIMOX基板

Inventor：
足立 尚志

About 足立 尚志


Applicant, Patent owner：
株式会社SUMCO

About 株式会社SUMCO


Agent (1)： 須田 正義
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004154624
Publication number (International publication number)：2005340348
Application date： May. 25, 2004
Publication date： Dec. 08, 2005
Summary：
【課題】イオン注入や高温熱処理に起因する重金属汚染をバルク層内部に効率良く捕獲し得る。【解決手段】ウェーハ11内部に酸素イオンを注入する工程と、ウェーハを所定のガス雰囲気中、1300〜1390°Cで第1熱処理して埋込み酸化層12を形成するとともにSOI層13を形成する工程とを含み、酸素イオン注入前のウェーハが9×1017〜1.8×1018atoms/cm3(旧ASTM)の酸素濃度を有し、埋込み酸化層がウェーハ全面にわたって又は部分的に形成され、酸素イオン注入工程前又は酸素イオン注入工程と第1熱処理工程との間にウェーハ内部に酸素析出核14bを形成するための第2熱処理工程とウェーハ内部に形成された酸素析出核14bを酸素析出物14cに成長させるための第3熱処理工程とを含むことを特徴とする。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
シリコンウェーハ(11)の内部に酸素イオンを注入する酸素イオン注入工程と、 前記ウェーハ(11)を酸素と不活性ガスとの混合ガス雰囲気中、1300〜1390°Cで第1熱処理することにより、前記ウェーハ(11)表面から所定の深さの領域に埋込み酸化層(12)を形成するとともに前記埋込み酸化層(12)上のウェーハ表面にSOI層(13)を形成する第1熱処理工程と を含むSIMOX基板の製造方法において、 前記酸素イオン注入する前のシリコンウェーハ(11)が9×1017〜1.8×1018atoms/cm3(旧ASTM)の酸素濃度を有し、前記埋込み酸化層(12)がウェーハ全面にわたって又は部分的に形成され、 前記酸素イオン注入工程前又は前記酸素イオン注入工程と前記第1熱処理工程との間に前記ウェーハ(11)内部に酸素析出核(14b)を形成するための第2熱処理工程と、この第2熱処理工程に続く前記ウェーハ(11)内部に形成された酸素析出核(14b)を酸素析出物(14c)に成長させるための第3熱処理工程とを含むことを特徴とするSIMOX基板の製造方法。
IPC (2)：
H01L27/12 ,  H01L21/322
FI (2)：
H01L27/12 E ,  H01L21/322 Y
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3)
  • 特公平3-9078号公報(2ページ第3欄6行目〜13行目)
  • 半導体基板の製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-329365   Applicant：日本電気株式会社
  • SIMOX基板及びその製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-238513   Applicant：日本電気株式会社
Cited by examiner (5)
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