窒素ドープアニールウエーハの製造方法及び窒素ドープアニールウエーハ

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：好宮幹夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001158516
Publication number (International publication number)：2002353225
Application date： May. 28, 2001
Publication date： Dec. 06, 2002
Summary：

【要約】【課題】シリコン単結晶にドープされた窒素濃度に影響されることなく、シリコン単結晶の各部位からスライスされたシリコン単結晶ウエーハにおけるアニール後のBMD密度のばらつきが緩和された窒素ドープアニールウエーハ及びその製造方法を提供する。【解決手段】窒素ドープしたシリコン単結晶からスライスされ、少なくとも研磨されたウェーハに、アルゴン、水素またはこれらの混合ガス雰囲気中で1100〜1350°Cの高温熱処理を施す前に、前記高温熱処理の処理温度未満の温度で滞留させる工程を行なうことにより、前記高温熱処理では消滅するサイズの酸素析出核を前記高温熱処理では消滅しないサイズに成長させ、その後前記高温熱処理を行う窒素ドープアニールウェーハの製造方法。

Claim (excerpt)：

窒素ドープアニールウエーハの製造方法であって、少なくとも窒素ドープしたシリコン単結晶からスライスされ、研磨されたウェーハに、アルゴン、水素またはこれらの混合ガス雰囲気中で1100〜1350°Cの高温熱処理を施す前に、前記高温熱処理の処理温度未満の温度で滞留させる工程を行なうことにより、前記高温熱処理では消滅するサイズの酸素析出核を前記高温熱処理では消滅しないサイズに成長させ、その後前記高温熱処理を行うことを特徴とする窒素ドープアニールウェーハの製造方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

シリコンウエハの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-241185 Applicant：コマツ電子金属株式会社
半導体シリコンエピタキシャルウェーハ及び半導体デバイスの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-220829 Applicant：住友シチックス株式会社
特開昭58-087833

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