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J-GLOBAL ID：200903018649203514

可変抵抗素子および抵抗変化型メモリ装置

Inventor： 宮澤 弘
Applicant, Patent owner： セイコーエプソン株式会社
Agent (3)： 布施 行夫 ,  大渕 美千栄 ,  伊奈 達也
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006200638
Publication number (International publication number)：2008028228
Application date： Jul. 24, 2006
Publication date： Feb. 07, 2008
Summary：

【課題】抵抗変化型メモリ装置(RRAM)に適用できる新規な可変抵抗素子を提供すること。【解決手段】可変抵抗素子10は、第1電極12と、前記第1電極12の上に形成された抵抗体層14と、前記抵抗体層14の上に形成された第2電極16と、を含む。前記抵抗体層14は、酸素欠陥を有する遷移金属酸化物からなる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

第1電極と、 前記第1電極の上に形成された抵抗体層と、 前記抵抗体層の上に形成された第2電極と、 を含み、 前記抵抗体層は、酸素欠陥を有する遷移金属酸化物からなる、可変抵抗素子。

IPC (5)：

H01L 27/10 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04 ,  H01L 45/00 ,  H01L 49/00

FI (4)：

H01L27/10 451 ,  H01L27/04 V ,  H01L45/00 Z ,  H01L49/00 Z

F-Term (10)：

5F038AV07 ,  5F038AV17 ,  5F038DF05 ,  5F038EZ20 ,  5F083FZ10 ,  5F083JA38 ,  5F083JA43 ,  5F083JA45 ,  5F083MA06 ,  5F083MA19

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 無粒界型マンガン酸化物系結晶体及びスイッチング型磁気抵抗素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-271566   Applicant：工業技術院長, 技術研究組合オングストロームテクノロジ研究機構

Cited by examiner (3)

• 不揮発性半導体記憶装置及びその書き込み方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-277712   Applicant：富士通株式会社, 国立大学法人東京工業大学
• PCMO薄膜の形成方法及びPCMO薄膜
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-130841   Applicant：シャープ株式会社
• 半導体装置およびその駆動方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-304460   Applicant：松下電器産業株式会社