炭化珪素平滑化基板の作製方法、炭化珪素平滑化基板、炭化珪素エピタキシャルウエハ、窒化ガリウムウエハ、及び半導体製造装置

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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004090698
Publication number (International publication number)：2005277229
Application date： Mar. 25, 2004
Publication date： Oct. 06, 2005
Summary：

【課題】炭化珪素の結晶成長に関与し、エピタキシャルウエハ作製時に用いる炭化珪素平滑化基板の作製方法、炭化珪素平滑化基板、炭化珪素エピタキシャルウエハ、窒化ガリウムウエハ、及び半導体製造装置を提供する。【解決手段】本発明の炭化珪素平滑化基板の作製方法は、炭化珪素基板の平滑化における水素エッチング時に原料ガス(シラン)を添加することを特徴とする。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

炭化珪素基板の平滑化における水素エッチング時に原料ガスを添加することを特徴とする炭化珪素平滑化基板の作製方法。

IPC (2)：

H01L21/302 , C30B29/36

FI (2)：

H01L21/302 201A , C30B29/36 A

F-Term (14)：

4G077AA03 , 4G077BE08 , 4G077DB01 , 4G077ED05 , 4G077ED06 , 4G077HA06 , 4G077TK01 , 4G077TK06 , 4G077TK10 , 5F004AA11 , 5F004BA19 , 5F004DA00 , 5F004DA24 , 5F004DB00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-114804 Applicant：信越半導体株式会社, 東京エレクトロン株式会社
気相成長方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-066883 Applicant：信越半導体株式会社
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-182063 Applicant：富士通株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

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