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J-GLOBAL ID：200903018765596710

3族窒化物半導体発光素子

Inventor： 浅見 慎也 ,  小池 正好 ,  小出 典克 ,  山崎 史郎 ,  梅崎 潤一
Applicant, Patent owner： 豊田合成株式会社
Agent (1)： 藤谷 修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996180165
Publication number (International publication number)：1998012922
Application date： Jun. 19, 1996
Publication date： Jan. 16, 1998
Summary：

【要約】【課題】3族窒化物化合物半導体を用いた発光素子の発光効率の向上。【解決手段】発光層5は、膜厚約50ÅのAl0.05Ga0.95N から成る6層のバリア層51と膜厚約50ÅのIn0.2Ga0.8N から成る5層の井戸層52とが交互に積層された多重量子井戸構造で、全膜厚約0.055 μmである。又、井戸層52には、亜鉛とシリコンが、それぞれ、5 ×1018/cm3の濃度に添加されている。発光層を歪超格子で構成したため発光強度が増加した。

Claim (excerpt)：

発光層に3族窒化物半導体を用いた発光素子において、前記発光層を3族窒化物半導体の歪超格子から成る単一又は多重の量子井戸構造としたことを特徴とする3族窒化物半導体発光素子。

IPC (2)：

H01L 33/00 ,  H01S 3/18

FI (2)：

H01L 33/00 C ,  H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 面発光型半導体発光装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-248454   Applicant：株式会社東芝
• 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-310533   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 半導体レーザ素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-243681   Applicant：株式会社日立製作所
• 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-070873   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 3族窒化物半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-252896   Applicant：豊田合成株式会社, 株式会社豊田中央研究所