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J-GLOBAL ID：200903018804303091

プラズマ化学気相蒸着装置及びこれを用いた炭素ナノチューブの製造方法

Inventor：
洪 鎭杓

About 洪 鎭杓

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金 彩玉

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尹 亨冑

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姜 昊錫

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Applicant, Patent owner：
学校法人漢陽学院

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Agent (1)： 小林 正明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002280337
Publication number (International publication number)：2003147533
Application date： Sep. 26, 2002
Publication date： May. 21, 2003
Summary：
【要約】【目的】 基板上に炭素ナノチューブを約600°C以下の低温において成長させ、成長した炭素ナノチューブの垂直配向性を向上させると共にその直径と長さを調節できるプラズマ化学気相蒸着装置の提供、及び該装置を用いた炭素ナノチューブの製造方法を提供するにある。【構成】 上部電極のガス供給部と下部電極の基板ホルダとの間にグリッドを配置して工程チャンバー内の電気場を変化させ反応微粒子の相対的な数を増加させ得るプラズマ化学気相蒸着装置を提供する。従来の装置より低温でも蒸着工程を行うことができ、前記グリッド電圧の印加により基板上に成長する物質の構造的特徴を調節でき、前記グリッドの位置及び傾斜を調節するための位置調節部により成長する物質の特性も調節できる。該蒸着装置を用いた炭素ナノチューブの製造方法を提供する。
Claim (excerpt)：
工程チャンバー;前記工程チャンバーの上部に形成され所定のガスを供給するためのガス供給部;前記工程チャンバーの底部に形成され基板を支持するための基板ホルダ部;前記ガス供給部により供給される所定のガスをプラズマに形成すべく前記ガス供給部と前記基板ホルダを両電極として高周波電圧を印加するための電源部;及び前記ガス供給部と前記基板ホルダとの間に配置され伝導性物質から成るグリッドを含むプラズマ化学気相蒸着装置。
IPC (3)：
C23C 16/505 ,  C01B 31/02 101 ,  C23C 16/26
FI (3)：
C23C 16/505 ,  C01B 31/02 101 F ,  C23C 16/26
F-Term (27)：
4G146AA11 ,  4G146BA12 ,  4G146BA48 ,  4G146BC09 ,  4G146BC16 ,  4G146BC25 ,  4G146BC27 ,  4G146BC32A ,  4G146BC33A ,  4G146BC42 ,  4G146BC44 ,  4G146CB29 ,  4G146DA03 ,  4G146DA16 ,  4G146DA33 ,  4G146DA47 ,  4K030AA09 ,  4K030AA13 ,  4K030AA17 ,  4K030BA27 ,  4K030BB12 ,  4K030CA04 ,  4K030CA06 ,  4K030FA01 ,  4K030FA03 ,  4K030HA04 ,  4K030JA01
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2)
  • 韓国特許出願第29583号明細書
  • 韓国特許出願第19559号明細書
Cited by examiner (5)
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