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J-GLOBAL ID：200903018880513771

不揮発性半導体記憶装置

Inventor：
大中道 崇浩

About 大中道 崇浩


Applicant, Patent owner：
三菱電機株式会社

About 三菱電機株式会社


Agent (1)： 深見 久郎 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997054906
Publication number (International publication number)：1998256400
Application date： Mar. 10, 1997
Publication date： Sep. 25, 1998
Summary：
【要約】【課題】 トンネル酸化膜を薄膜化して低電圧化および低消費電力化を図ることが可能な不揮発性半導体記憶装置を提供する。【解決手段】 フローティングゲート電極5としてp型多結晶シリコンを用いる。また、トンネル酸化膜(第1の絶縁膜)4の厚みを10nm未満に設定する。
Claim (excerpt)：
p型の半導体領域の主表面に、チャネル領域を挟むように間隔を隔てて形成されたn型のソース領域およびドレイン領域と、前記チャネル領域上に形成され、10nm未満の厚みを有する第1の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜上に形成された、p型多結晶シリコンを含むフローティングゲート電極と、前記フローティングゲート電極上に形成された第2の絶縁膜と、前記第2の絶縁膜上に形成されたコントロールゲート電極とを備え、前記第1の絶縁膜に10MV/cm以上の電界を印加することによりトンネル現象を用いて前記フローティングゲート電極内の電子を前記半導体領域の主表面の方向に引抜き、これにより、前記フローティングゲート電極内の正電荷の帯電量を増加させて、書込および消去のいずれかの動作を行なう、不揮発性半導体記憶装置。
IPC (4)：
H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/115
FI (2)：
H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 434
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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