半導体レーザ

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：稲垣清 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996319309
Publication number (International publication number)：1998163563
Application date： Nov. 29, 1996
Publication date： Jun. 19, 1998
Summary：

【要約】【課題】電流非注入領域を有する半導体レーザのモードホッピングの挙動の安定性を図る。【解決手段】半導体レーザの活性層4の両端面に電流非注入領域2が形成され、電流非注入領域1と電流注入領域2との界面2Aは、活性層4の面内において光軸に直交する方向から10〜15 ゚程度の傾斜を有する。レーザ反射光3Aが活性層4から排除され、素子長のみで規定されるファブリペローモードのみが存在する。このため、従来の半導体レーザ形成された複数の共振器長に起因するリップルが消滅する。CODレベルが高いという、電流非注入領域を有する半導体レーザ素子の特徴を生かしたまま、電流非注入領域を有しない半導体レーザと同様に、モードホッピングにおける挙動が安定する。

Claim (excerpt)：

活性層ストライプの光軸方向に順次に配設された電流注入領域及び電流非注入領域を有する半導体レーザにおいて、前記電流注入領域と電流非注入領域との間の境界が、活性層の面内において前記光軸に直交する方向から所定の傾きを有することを特徴とする半導体レーザ。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

利得導波型半導体レーザ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-066368 Applicant：株式会社島津製作所
半導体光増幅器
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-329869 Applicant：日立電線株式会社
光半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-317394 Applicant：日本電気株式会社

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