光半導体素子

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)： ▲柳▼川信
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994317394
Publication number (International publication number)：1996181376
Application date： Dec. 21, 1994
Publication date： Jul. 12, 1996
Summary：

【要約】【目的】活性層端部での実効的反射率を低下させることが可能な光半導体素子の提供。【構成】基板1上にストライプ状の活性層3を形成し、この活性層3をクラッド層4、電極7等で覆い光半導体素子を形成するとともに、この活性層3の端面3bを活性層3から放出される光の方向に対して13度の角度に傾斜させて形成した。このように端面3bを傾斜させることにより活性層3から放出される光が活性層3の端面3bで反射しても再度光導波路10に結合しなくなる。従って、放出光と反射光とが干渉し合って利得が低下するのを防止することができる。

Claim (excerpt)：

ストライプ状の活性層を有する光半導体素子であって、前記光半導体素子の端部と前記活性層の端部間に窓領域が形成され、かつ前記活性層の端部の面に立てた垂線の方向と前記活性層から放出される光の方向とが異なるよう前記活性層端部の面を傾斜させることを特徴とする光半導体素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

半導体光増幅器
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-343439 Applicant：株式会社東芝
光導波路デバイス
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平2-406230 Applicant：日本電信電話株式会社
導波路形スポツトサイズ変換素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-221853 Applicant：日本電信電話株式会社

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