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J-GLOBAL ID:200903019378142898
マスクブランク用基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、及び露光用マスクの製造方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (3):
阿仁屋 節雄
, 油井 透
, 清野 仁
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2004242628
Publication number (International publication number):2006058777
Application date: Aug. 23, 2004
Publication date: Mar. 02, 2006
Summary:
【課題】 位相欠陥となる微小な凸欠陥や、透過光量の低下を引き起こす微小な凹欠陥を低減できるマスクブランク用基板の製造方法を提供すること。【解決手段】 マスクブランク用基板10の主表面19に、研磨剤を含む研磨液を凍結させた第1凍結体11を接触させて摺動させ、上記主表面を研磨してマスクブランク用基板を製造する。上記主表面の研磨加工は、当該主表面を精密加工した後欠陥検査を行って当該主表面上の欠陥を特定し、この特定された欠陥に対して実施するものである。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
マスクブランク用基板の主表面に、研磨剤を含む研磨液を凍結させた凍結体を接触させて相対移動させ、上記主表面を研磨することを特徴とするマスクブランク用基板の製造方法。
IPC (4):
G03F 1/14
, B24B 37/00
, B24D 3/00
, B24D 3/06
FI (5):
G03F1/14 A
, B24B37/00 K
, B24D3/00 310F
, B24D3/00 320Z
, B24D3/06 Z
F-Term (11):
2H095BC26
, 2H095BD01
, 3C058AA07
, 3C058AA09
, 3C058CA01
, 3C058CB02
, 3C063AA10
, 3C063AB05
, 3C063BB01
, 3C063BC01
, 3C063EE01
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (1)
Cited by examiner (6)
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特開昭63-144945
-
研磨パッドの製造方法および半導体装置の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-187436
Applicant:株式会社ルネサステクノロジ, 株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ
-
透光性物質の不均一性検査方法及びその検査装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-242046
Applicant:ホーヤ株式会社
-
マイクロデバイスの研磨方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-227540
Applicant:ティーディーケイ株式会社
-
研磨材、その製造方法及び研磨方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-313621
Applicant:三井金属鉱業株式会社
-
ドライアイススティックを使った表面洗浄方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-274301
Applicant:テイサン株式会社, 株式会社荏原製作所
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