III族窒化物系化合物半導体素子および電極形成方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：藤谷修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000085932
Publication number (International publication number)：2001274459
Application date： Mar. 27, 2000
Publication date： Oct. 05, 2001
Summary：

【要約】【課題】接触抵抗の小さい、経時変化の少ないp電極を提供すること。【解決手段】サファイア基板1の上、順次、AlNから成るバッファ層2、シリコン(Si)ドープのGaNから成る高キャリア濃度n+層3、Siドープのn型Al0.07Ga0.93Nから成るnクラッド層4、Siドープのn型GaNからなるnガイド層5、膜厚約2nmのGa0.9In0.1Nから成る井戸層61と膜厚約4nmのGa0.97In0.03Nから成るバリア層62とが交互に積層された多重量子井戸構造(MQW)の活性層6、MgドープGaNから成るpガイド層7、MgドープAl0.07Ga0.93Nから成るpクラッド層8、MgドープGaNから成るpコンタクト層9が形成されている。p電極10を、膜厚50nmの窒化チタン(TiN)又は窒化タンタル(TaN)で形成する。この電極は熱処理により抵抗が低下する。

Claim (excerpt)：

p型のIII族窒化物系化合物半導体を有する素子において、前記p型のIII族窒化物系化合物半導体上に形成された、窒化タンタル(TaNx)、窒化チタン(TiNx)又は窒化タンタルチタン(TayTi1-yNz)からなる電極を有することを特徴とするIII族窒化物系化合物半導体素子。

IPC (9)：

H01L 33/00 , C30B 29/38 , H01L 21/205 , H01L 21/28 301 , H01L 21/28 , H01L 21/285 , H01L 29/43 , H01S 5/042 610 , H01S 5/323

FI (11)：

H01L 33/00 E , H01L 33/00 C , C30B 29/38 Z , H01L 21/205 , H01L 21/28 301 R , H01L 21/28 301 B , H01L 21/285 S , H01S 5/042 610 , H01S 5/323 , H01L 29/46 R , H01L 29/46 B

F-Term (59)：

4G077AA03 , 4G077BE11 , 4G077DA11 , 4G077HA05 , 4G077HA06 , 4M104AA03 , 4M104BB30 , 4M104BB32 , 4M104CC01 , 4M104DD37 , 4M104DD42 , 4M104DD79 , 4M104DD83 , 4M104GG04 , 4M104HH15 , 5F041AA24 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA65 , 5F041CA67 , 5F041CA82 , 5F045AA04 , 5F045AA19 , 5F045AB09 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AB18 , 5F045AB40 , 5F045AC01 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AD07 , 5F045AD08 , 5F045AD14 , 5F045AD15 , 5F045AF02 , 5F045AF03 , 5F045AF04 , 5F045AF09 , 5F045BB12 , 5F045CA12 , 5F045CB10 , 5F045DA53 , 5F045DA55 , 5F045HA13 , 5F045HA16 , 5F073AA45 , 5F073AA74 , 5F073CA07 , 5F073CB05 , 5F073CB07 , 5F073CB19 , 5F073CB22 , 5F073DA05 , 5F073DA16 , 5F073DA25 , 5F073DA30 , 5F073EA23 , 5F073EA28

Patent cited by the Patent：

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III族窒化物半導体およびその製造方法
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