プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (2)：西川惠清 , 森厚夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002264426
Publication number (International publication number)：2004103423
Application date： Sep. 10, 2002
Publication date： Apr. 02, 2004
Summary：

【課題】厚みのある被処理物をプラズマ処理するために電極間距離を大きくしたり、プラズマ処理能力を向上させるために投入電力の増加させた際においても、グロー状の均一なプラズマを得ることができ、しかも、プラズマ処理性能の高いプラズマ処理方法を提供する。【解決手段】対向配置される電極1、2間に放電空間3を形成する。少なくとも一方の電極1、2の放電空間3側に誘電体4を設ける。プラズマ生成用ガスの存在下で一方の電極1と他方の電極2のそれぞれに正負が交互に繰り返すパルス波又は休止区間のない交番電圧を同時に印加すると共に各電極1、2に印加された電圧の極性を互いに正負逆で位相を重複させることによって放電空間3に大気圧近傍の圧力下で放電を生じさせる。この放電により生成されるプラズマ5に被処理物6を暴露させる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

対向配置される電極間に放電空間を形成し、少なくとも一方の電極の放電空間側に誘電体を設け、プラズマ生成用ガスの存在下で一方の電極と他方の電極のそれぞれに正負が交互に繰り返すパルス波又は休止区間のない交番電圧を同時に印加すると共に各電極に印加された電圧の極性を互いに正負逆で位相を重複させることによって放電空間に大気圧近傍の圧力下で放電を生じさせ、この放電により生成されるプラズマに被処理物を暴露させることを特徴とするプラズマ処理方法。

IPC (3)：

H05H1/24 , C23C16/517 , H01L21/3065

FI (3)：

H05H1/24 , C23C16/517 , H01L21/302 101E

F-Term (22)：

4K030CA06 , 4K030CA07 , 4K030CA12 , 4K030CA17 , 4K030FA03 , 4K030JA03 , 4K030JA09 , 4K030JA11 , 4K030KA30 , 4K030LA11 , 4K030LA18 , 5F004AA01 , 5F004BA03 , 5F004BA06 , 5F004BA09 , 5F004BB24 , 5F004DA00 , 5F004DA21 , 5F004DA24 , 5F004DA25 , 5F004DA26 , 5F004DB00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-250285 Applicant：松下電工株式会社, 株式会社ハイデン研究所
プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-157445 Applicant：松下電工株式会社
ポリイミドフィルムの接着性改善方法及び接着性を改善したポリイミドフィルム
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-196068 Applicant：鐘淵化学工業株式会社

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