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J-GLOBAL ID：200903019967958709

半導体素子製造用洗浄液及びそれを用いた半導体素子の製造方法

Inventor： 鳥居 善三 ,  笹部 俊二 ,  児島 雅之 ,  薄網 弘久 ,  徳永 尚文 ,  原 和里 ,  大平 義和 ,  松井 剛 ,  後藤 日出人 ,  青山 哲男 ,  長谷見 隆司 ,  池田 英俊
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所 ,  日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 ,  三菱瓦斯化学株式会社
Agent (1)： 大谷 保
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996211217
Publication number (International publication number)：1998055993
Application date： Aug. 09, 1996
Publication date： Feb. 24, 1998
Summary：

【要約】【課題】 半導体素子製造工程において、ドライエッチング処理の際に生じる堆積ポリマーを、金属膜を腐食することなく容易に除去しうる洗浄液、及びそれを用いた半導体素子の製造方法を提供すること。【解決手段】 (A)特定の第四級アンモニウム塩又は特定の有機カルボン酸アンモニウム塩や有機カルボン酸アミン塩、(B)含フッ素化合物、(C)水溶性又は水混和性有機溶剤及び(D)無機酸や有機酸を含有する水溶液からなる半導体素子製造用洗浄液、並びに、表面に絶縁膜層又は金属導電膜層が設けられた基板上に、レジストパターンを形成したのち、ドライエッチング処理によるヴィアホール又は金属配線の形成,酸化プラズマによる灰化処理及び上記洗浄液による洗浄処理を順次施して、半導体素子を製造する方法である。

Claim (excerpt)：

(A)一般式(I)〔(R1)3 N-R2 〕+a Xa- ・・・(I)(式中、R1 は炭素数1〜4のアルキル基を示し、3つのR1 はたがいに同一でも異なっていてもよく、R2 は炭素数1〜4のアルキル基又はヒドロキシアルキル基を示す。Xa-は無機又は有機の陰イオンを示し、aは該陰イオンの価数を示す。)で表される第四級アンモニウム塩と、(B)含フッ素化合物と、(C)水溶性又は水混和性有機溶剤と、(D)無機酸及び/又は有機酸とを含有する水溶液からなる半導体素子製造用洗浄液。

IPC (9)：

H01L 21/304 341 ,  C11D 7/60 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/3213 ,  C11D 7:32 ,  C11D 7:28 ,  C11D 7:50 ,  C11D 7:08 ,  C11D 7:26

FI (4)：

H01L 21/304 341 L ,  C11D 7/60 ,  H01L 21/302 H ,  H01L 21/88 D

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 半導体装置洗浄剤および半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-000520   Applicant：三菱瓦斯化学株式会社, 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社
• 半導体装置の洗浄剤および半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-049984   Applicant：川崎製鉄株式会社
• フォトレジスト用剥離液及び配線パターンの形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-082518   Applicant：三菱瓦斯化学株式会社, シャープ株式会社
• 半導体基板の処理方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-110991   Applicant：株式会社東芝