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J-GLOBAL ID：200903032595737553

窒化物系半導体レーザ装置

Inventor：
板谷 和彦

About 板谷 和彦

, 
杉浦 理砂

About 杉浦 理砂


Applicant, Patent owner：
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (1)： 外川 英明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999021333
Publication number (International publication number)：2000223790
Application date： Jan. 29, 1999
Publication date： Aug. 11, 2000
Summary：
【要約】【課題】プロセスの再現性にも優れ、低しきい値・低動作電圧・高信頼性で動作が可能など特性の良い窒化物系半導体レーザ装置を提供することにある。【解決手段】基板上に構成された少なくともAlxGa1-xN/AlyGa1-yN(0 <x ≦1,0 ≦y <1)からなる多重量子井戸構造、あるいは超格子構造を有する窒化物系半導体レーザ装置において障壁層となるAlxGa1-xN 層の一部あるいは全部の層、または井戸側層となるAlyGa1-yN においてAl組成が一様ではなく階段状あるいはグレーデッド状に形成された窒化物半導体レーザ装置
Claim (excerpt)：
窒化物系半導体からなる活性層と、前記活性層を挟むように形成されたクラッド層とを具備し、前記活性層は、障壁層/井戸層(AlxGa1-xN/AlyGa1-yN 0<x ≦1,0 ≦y <1)からなる超格子構造からなり、前記障壁層(AlxGa1-xN 0<x ≦1 )の一部あるいは全部の層、あるいは前記井戸層(AlyGa1-yN 0≦y <1 )の一部あるいは全部の層のAl組成が階段状あるいはグレーデッド状に変化していることを特徴する窒化物系半導体レーザ装置
F-Term (10)：
5F073AA31 ,  5F073AA51 ,  5F073AA74 ,  5F073AA77 ,  5F073BA06 ,  5F073CA07 ,  5F073CB04 ,  5F073CB05 ,  5F073EA18 ,  5F073EA23
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (13)
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