窒化物系半導体レーザ装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：外川英明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999021333
Publication number (International publication number)：2000223790
Application date： Jan. 29, 1999
Publication date： Aug. 11, 2000
Summary：

【要約】【課題】プロセスの再現性にも優れ、低しきい値・低動作電圧・高信頼性で動作が可能など特性の良い窒化物系半導体レーザ装置を提供することにある。【解決手段】基板上に構成された少なくともAlxGa1-xN/AlyGa1-yN(0 <x ≦1,0 ≦y <1)からなる多重量子井戸構造、あるいは超格子構造を有する窒化物系半導体レーザ装置において障壁層となるAlxGa1-xN 層の一部あるいは全部の層、または井戸側層となるAlyGa1-yN においてAl組成が一様ではなく階段状あるいはグレーデッド状に形成された窒化物半導体レーザ装置

Claim (excerpt)：

窒化物系半導体からなる活性層と、前記活性層を挟むように形成されたクラッド層とを具備し、前記活性層は、障壁層/井戸層(AlxGa1-xN/AlyGa1-yN 0<x ≦1,0 ≦y <1)からなる超格子構造からなり、前記障壁層(AlxGa1-xN 0<x ≦1 )の一部あるいは全部の層、あるいは前記井戸層(AlyGa1-yN 0≦y <1 )の一部あるいは全部の層のAl組成が階段状あるいはグレーデッド状に変化していることを特徴する窒化物系半導体レーザ装置

F-Term (10)：

5F073AA31 , 5F073AA51 , 5F073AA74 , 5F073AA77 , 5F073BA06 , 5F073CA07 , 5F073CB04 , 5F073CB05 , 5F073EA18 , 5F073EA23

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (13)

窒化ガリウム系半導体光発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-213412 Applicant：株式会社東芝
半導体レーザ素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-296474 Applicant：株式会社日立製作所
半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-257817 Applicant：豊田合成株式会社

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Cited by examiner (13)

窒化ガリウム系半導体光発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-213412 Applicant：株式会社東芝
半導体レーザ素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-296474 Applicant：株式会社日立製作所
半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-257817 Applicant：豊田合成株式会社

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