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J-GLOBAL ID：200903020301618790

TFT基板及びTFT基板の製造方法

Inventor： 井上 一吉 ,  矢野 公規 ,  松原 雅人
Applicant, Patent owner： 出光興産株式会社
Agent (1)： 渡辺 喜平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005368735
Publication number (International publication number)：2007173489
Application date： Dec. 21, 2005
Publication date： Jul. 05, 2007
Summary：

【課題】動作安定性などの品質を向上させるとともに、製造工程の工程数を削減することによって、製造コストを大幅に低減できることが可能なTFT基板及びTFT基板の製造方法の提案を目的とする。【解決手段】TFT基板1は、ガラス基板10と、このガラス基板10上に形成され、上面がゲート絶縁膜30に覆われ、かつ、側面が陽極酸化されることにより(陽極酸化部26により)絶縁されたゲート電極23及びゲート配線24と、ゲート電極23上のゲート絶縁膜30上に形成された第一の酸化物層としてのn型酸化物半導体層40と、n型酸化物半導体層40上に、チャンネル部46によって隔てられて形成された第二の酸化物層としての酸化物導電体層50を備えている。【選択図】 図10

Claim (excerpt)：

基板と、 この基板上に形成され、上面がゲート絶縁膜に覆われ、かつ、側面が陽極酸化されることにより絶縁されたゲート電極及びゲート配線と、 前記ゲート電極上の前記ゲート絶縁膜上に形成された第一の酸化物層と、 前記第一の酸化物層上に、チャンネル部によって隔てられて形成された第二の酸化物層と を具備することを特徴とするTFT基板。

IPC (7)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49 ,  H01L 21/321 ,  G09F 9/30

FI (10)：

H01L29/78 617J ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 616V ,  H01L29/78 612D ,  H01L29/78 616U ,  H01L29/78 616K ,  H01L21/28 301R ,  H01L29/58 G ,  H01L21/88 C ,  G09F9/30 338

F-Term (72)：

4M104AA03 ,  4M104AA09 ,  4M104BB02 ,  4M104BB05 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB18 ,  4M104BB39 ,  4M104CC05 ,  4M104DD37 ,  4M104GG09 ,  4M104GG20 ,  4M104HH03 ,  5C094AA44 ,  5C094AA53 ,  5C094BA03 ,  5C094DB01 ,  5C094FB14 ,  5C094GB10 ,  5F033GG01 ,  5F033GG04 ,  5F033HH07 ,  5F033HH10 ,  5F033HH17 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH20 ,  5F033KK38 ,  5F033LL02 ,  5F033MM08 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ89 ,  5F033SS26 ,  5F033VV06 ,  5F033VV15 ,  5F033WW07 ,  5F033XX16 ,  5F110AA16 ,  5F110BB01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110EE06 ,  5F110EE34 ,  5F110EE44 ,  5F110EE48 ,  5F110FF01 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG06 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110GG43 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK17 ,  5F110HK22 ,  5F110HK33 ,  5F110NN02 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110PP01 ,  5F110QQ01 ,  5F110QQ02

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (7)

• 液晶表示装置とその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-109730   Applicant：廣輝電子股ふん有限公司
• 液晶表示装置とその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-109729   Applicant：廣輝電子股ふん有限公司
• 液晶表示装置とその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-182106   Applicant：廣輝電子股ふん有限公司
• 液晶表示装置とその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-182107   Applicant：廣輝電子股ふん有限公司
• 液晶表示装置とその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-282303   Applicant：廣輝電子股ふん有限公司
• 液晶表示装置とその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-336706   Applicant：廣輝電子股ふん有限公司
• 液晶表示装置とその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-336707   Applicant：廣輝電子股ふん有限公司

Cited by examiner (3)

• 特開昭61-185724
  
• 薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-112883   Applicant：シャープ株式会社
• 薄膜トランジスタアレイ、その製造方法およびそれを用いた表示パネル
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-348260   Applicant：松下電器産業株式会社