フォトレジスト膜及びパターン形成方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：梅田勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997258259
Publication number (International publication number)：1999095418
Application date： Sep. 24, 1997
Publication date： Apr. 09, 1999
Summary：

【要約】【課題】 ArFエキシマレーザを用いて、パターン形成でき、且つ、ドライエッチング耐性の優れたフォトレジスト膜は未だ開発されておらず、その開発が切望されている。【解決手段】少なくともベンゼン環を成分要素として含む化学増幅型レジストの下層レジスト膜2と、少なくともArFエキシマレーザに対して感光することにより酸を発生するレジストの上層レジスト膜3とから成る2層構造のフォトレジスト膜を用いる。

Claim (excerpt)：

少なくともベンゼン環を成分要素として含む、化学増幅型の下層レジスト膜と、少なくともArFエキシマレーザに対し感光し、酸を発生する上層レジスト膜とからなることを特徴とするフォトレジスト膜。

IPC (3)：

G03F 7/004 503 , G03F 7/039 601 , H01L 21/027

FI (3)：

G03F 7/004 503 A , G03F 7/039 601 , H01L 21/30 502 R

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

リソグラフィ法及び半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-012814 Applicant：株式会社日立製作所, 日立化成工業株式会社
レジストパタン形成方法及び半導体装置製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-040934 Applicant：株式会社日立製作所, 日立化成工業株式会社
特開平3-033852

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