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J-GLOBAL ID：200903020385780130

水素分離体、水素製造装置、水素分離体の製造方法及び水素分離体の製造装置

Inventor：
浅井 英明

About 浅井 英明

, 
藤井 和久

About 藤井 和久

, 
永井 隆文

About 永井 隆文


Applicant, Patent owner：
ダイキン工業株式会社

About ダイキン工業株式会社


Agent (1)： 福井 宏司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006045961
Publication number (International publication number)：2007044684
Application date： Feb. 22, 2006
Publication date： Feb. 22, 2007
Summary：
【課題】水素分離膜への一酸化炭素等の吸着を減少させ、効率的に水素ガスを分離精製することができる水素分離体、水素製造装置、水素分離体の製造方法及び水素分離体の製造装置を提供する。【解決手段】水素分離体100には、基体管101の内側表面に、超臨界CO2を用いためっきにより形成した水素透過層102が積層される。この基体管101は、触媒担持セラミックス層101aと細孔セラミックス層101bとから構成される。この触媒担持セラミックス層101aの多孔管内に、一酸化炭素ガスのシフト反応や部分酸化反応を行なう触媒金属を担持させる。また、細孔セラミックス層101bは、水素ガスを優先的に水素透過層102側へ供給する。Ni充填層103で生成された改質ガスに含まれる一酸化炭素ガス等は基体管101で低減される。【選択図】図2
Claim (excerpt)：
水素ガスを含む混合ガスから水素ガスを分離精製する水素分離体であって、 前記水素分離体は、前記混合ガスを導入させる導入面を有する多孔質基体と、この導入面の対面上に形成され、溶解拡散機構に基づいた水素選択透過性を有する金属を用いて構成された水素選択透過性金属層とを備え、 前記多孔質基体は細孔層を備え、該細孔層は、前記混合ガスに含まれるとともに前記水素選択透過性金属層の性能を低下させるガスに比べて水素ガスを優先的に透過させることを特徴とする水素分離体。
IPC (5)：
B01D 71/02 ,  C01B 3/50 ,  B01D 69/10 ,  B01D 53/22 ,  C25D 7/00
FI (5)：
B01D71/02 500 ,  C01B3/50 ,  B01D69/10 ,  B01D53/22 ,  C25D7/00 R
F-Term (38)：
4D006GA41 ,  4D006HA22 ,  4D006MA02 ,  4D006MA09 ,  4D006MA40 ,  4D006MB04 ,  4D006MC02X ,  4D006NA45 ,  4D006PB18 ,  4D006PB66 ,  4D006PC80 ,  4G140EA03 ,  4G140EA06 ,  4G140EB19 ,  4G140EB23 ,  4G140EB34 ,  4G140EB36 ,  4G140FA06 ,  4G140FB04 ,  4G140FB05 ,  4G140FB06 ,  4G140FB07 ,  4G140FC01 ,  4G140FE01 ,  4K024AA12 ,  4K024AB01 ,  4K024AB17 ,  4K024AB19 ,  4K024BA15 ,  4K024BB27 ,  4K024BC05 ,  4K024BC07 ,  4K024CA02 ,  4K024CB01 ,  4K024CB11 ,  4K024DA04 ,  4K024DA06 ,  4K024DA08
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (12)
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Cited by examiner (11)
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