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J-GLOBAL ID：200903020522991569

半導体製造用ハーフトーンマスクおよびその製造方法

Inventor：
杉浦 恵美子

About 杉浦 恵美子


Applicant, Patent owner：
松下電子工業株式会社

About 松下電子工業株式会社


Agent (1)： 宮井 暎夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997167187
Publication number (International publication number)：1999015130
Application date： Jun. 24, 1997
Publication date： Jan. 22, 1999
Summary：
【要約】【課題】 マスク設計の自由度を確保しながら、マスク透過光のサイドローブのレジストへの転写を防ぐことのできる半導体製造用ハーフトーンマスクを実現する。【解決手段】 ガラス基板1と、このガラス基板1上に形成され所望の開口部7,8を有するハーフトーン膜2と、このハーフトーン膜2上の所定の領域に形成した遮光膜12とからなり、遮光膜12の形成領域は、遮光膜12を設けなかった場合に、ハーフトーン膜2の開口部7,8を透過した光ピーク9と10の間に現れるサイドローブがレジストを感光するしきい値光強度Tに達すると予想される領域に対応した領域である。開口部7,8間のハーフトーン膜2からの透過光を遮光膜12で遮光しているため、サイドローブ13の光強度は、しきい値光強度Tより低くなり、レジストを感光しなくなる。ハーフトーン膜2上の所定の領域に遮光膜12を設けるだけであるため、マスク設計の自由度も確保できる。
Claim (excerpt)：
透光基板と、この透光基板上に形成され所望のパターンの開口部を有し露光光を若干透過するハーフトーン膜とを備え、前記露光光のうち前記ハーフトーン膜の前記開口部を透過した光によりレジストを感光させるための半導体製造用ハーフトーンマスクであって、前記ハーフトーン膜上の所定の領域に遮光膜を設け、前記所定の領域は前記遮光膜を設けなかった場合に前記ハーフトーン膜の開口部を透過した光ピークの周辺に発生する光強度の極大部であるサイドローブが前記レジストを感光させるレベルに達すると予想される領域に対応した領域であることを特徴とする半導体製造用ハーフトーンマスク。
IPC (2)：
G03F 1/08 ,  H01L 21/027
FI (3)：
G03F 1/08 A ,  H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/30 528
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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