薄膜半導体の製造方法およびその製造方法により製造された薄膜トランジスタ

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (5)：曾我道照 , 曾我道治 , 古川秀利 , 鈴木憲七 , 梶並順
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005025215
Publication number (International publication number)：2006216600
Application date： Feb. 01, 2005
Publication date： Aug. 17, 2006
Summary：

【課題】多結晶シリコン表面を酸化してゲート絶縁膜を形成する酸化工程に先だって、ガスクラスタイオンビームを多結晶シリコン表面に照射し、表面凹凸を平坦化するとともに、多結晶シリコン表層部の結晶を破壊してアモルファスシリコン化する工程を加えることにより、酸化工程において、平坦なゲート絶縁膜を形成でき、耐電圧の向上が図られ、かつ、シリコンの酸化速度が速められ、プロセス時間の短縮が図られる薄膜半導体の製造方法を得る。【解決手段】絶縁基板1上にアモルファスシリコン層2を形成する工程と、アモルファスシリコン層2をアニールして多結晶シリコン層3を形成する工程と、多結晶シリコン層3の表面にガスクラスタイオンビームを照射する工程と、ガスクラスタイオンビームが照射された多結晶シリコン層3の表面に酸素を含む雰囲気を作用させて酸化シリコン層5を形成する工程とを有する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

多結晶シリコンを半導体層とする薄膜半導体の製造方法において、絶縁基板上にアモルファスシリコン層を形成する工程と、上記アモルファスシリコン層をアニールして多結晶シリコン層を形成する工程と、上記多結晶シリコン層の表面にガスクラスタイオンビームを照射する工程と、上記ガスクラスタイオンビームが照射された上記多結晶シリコン層の表面に酸素を含む雰囲気を作用させて酸化シリコン層を形成する工程とを含むことを特徴とする薄膜半導体の製造方法。

IPC (4)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 21/20 , H01L 21/268

FI (6)：

H01L29/78 617V , H01L21/20 , H01L21/268 F , H01L29/78 627G , H01L29/78 627A , H01L29/78 617U

F-Term (76)：

5F110AA12 , 5F110AA16 , 5F110AA18 , 5F110CC02 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD04 , 5F110DD12 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD17 , 5F110FF02 , 5F110FF09 , 5F110FF23 , 5F110FF28 , 5F110FF30 , 5F110FF32 , 5F110FF35 , 5F110GG02 , 5F110GG06 , 5F110GG13 , 5F110GG25 , 5F110GG43 , 5F110GG45 , 5F110GG47 , 5F110HJ13 , 5F110NN02 , 5F110PP01 , 5F110PP02 , 5F110PP03 , 5F110PP04 , 5F110PP05 , 5F110PP06 , 5F110PP08 , 5F110PP23 , 5F110PP38 , 5F110QQ19 , 5F152AA02 , 5F152AA03 , 5F152AA13 , 5F152BB02 , 5F152CC02 , 5F152CC03 , 5F152CC06 , 5F152CD13 , 5F152CD14 , 5F152CD16 , 5F152CE05 , 5F152CE12 , 5F152CE13 , 5F152CE14 , 5F152CE16 , 5F152CE35 , 5F152CE42 , 5F152CE44 , 5F152CF13 , 5F152CG13 , 5F152DD02 , 5F152DD05 , 5F152EE02 , 5F152FF02 , 5F152FF03 , 5F152FF06 , 5F152FF08 , 5F152FF11 , 5F152FF19 , 5F152FF21 , 5F152FF28 , 5F152FF41 , 5F152FF47 , 5F152FG18 , 5F152FG19 , 5F152FG23 , 5F152FH03 , 5F152FH04 , 5F152FH05

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

半導体膜の成形方法及び半導体基板の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-222098 Applicant：石川島播磨重工業株式会社

Cited by examiner (6)

特開平3-153080
半導体装置の作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-215643 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
レーザを用いた多結晶膜の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-314736 Applicant：住友重機械工業株式会社

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