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J-GLOBAL ID:200903098879649582
レーザを用いた多結晶膜の製造方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (2):
高橋 敬四郎
, 来山 幹雄
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002314736
Publication number (International publication number):2004152887
Application date: Oct. 29, 2002
Publication date: May. 27, 2004
Summary:
【課題】横方向に結晶を成長させる新たな技術を提供する。【解決手段】表面上にアモルファス材料からなる薄膜が形成された加工対象物を準備する。薄膜の表面において一方向に長いビーム断面を有するパルスレーザビームを該薄膜に入射させ、薄膜を溶融させた後固化させ、ビーム入射領域の長軸方向に延在する両側の縁の各々と中心線との間の領域のうち、縁及び中心線からある距離だけ隔てられ、長軸方向に延在する帯状領域内に、長軸方向に連なった結晶粒を発生させる。ここまでの工程で形成された2本の帯状領域に挟まれた領域を含む領域に、パルスレーザビームを入射させ、帯状領域内に形成されている結晶粒は溶融させず、帯状領域に挟まれた領域内の薄膜を溶融させ、帯状領域内の結晶粒を種結晶として結晶を成長させる。【選択図】 図8
Claim (excerpt):
(a)表面上にアモルファス材料からなる薄膜が形成された加工対象物を準備する工程と、
(b)前記薄膜の表面において一方向に長いビーム断面を有するパルスレーザビームを該薄膜に入射させ、該薄膜を溶融させた後固化させ、ビーム入射領域の長軸方向に延在する両側の縁の各々と中心線との間の領域のうち、該縁及び該中心軸からある距離だけ隔てられ、該長軸方向に延在する帯状領域内に、該長軸方向に連なった結晶粒を発生させる工程と、
(c)前記工程(b)で形成された2本の帯状領域に挟まれた領域を含む領域に、パルスレーザビームを入射させ、該帯状領域内に形成されている結晶粒は溶融させず、該帯状領域に挟まれた領域内の薄膜を溶融させ、該帯状領域内の結晶粒を種結晶として結晶を成長させる工程と
を有する多結晶膜の製造方法。
IPC (2):
FI (3):
H01L21/20
, H01L21/268 F
, H01L21/268 J
F-Term (9):
5F052AA02
, 5F052BA12
, 5F052BB07
, 5F052CA04
, 5F052DA02
, 5F052DB02
, 5F052DB03
, 5F052FA19
, 5F052FA28
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (9)
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レーザ照射方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-219200
Applicant:日本電気株式会社
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半導体薄膜の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-207128
Applicant:日本電気株式会社
-
薄膜半導体装置の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-094350
Applicant:セイコーエプソン株式会社, 三菱電機株式会社
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