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J-GLOBAL ID：200903020779047110

微細パターンの形成方法

Inventor： 新堀 博 ,  菅田 祥樹 ,  金子 文武 ,  立川 俊和
Applicant, Patent owner： 東京応化工業株式会社
Agent (1)： 長谷川 洋子
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001339310
Publication number (International publication number)：2003142381
Application date： Nov. 05, 2001
Publication date： May. 16, 2003
Summary：

【要約】【課題】 ホトレジストパターンを有する基板上に被覆形成剤を被覆してパターン形成を行うパターンの微細化において、パターン寸法の制御性に優れるとともに、良好なプロフィルおよび半導体デバイスにおける要求特性を備え、さらには膜厚1.0μm程度以上の厚膜のホトレジストパターンを有する基板を用いた場合においても、良好なプロフィルの微細パターンを得ることができる、微細パターンの形成方法を提供する。【解決手段】 ホトレジストパターンを有する基板上に、被覆形成剤を被覆する工程、熱処理により該被覆形成剤を収縮させ、その収縮作用によりホトレジストパターン間の間隔を狭小せしめる工程、および上記被覆形成剤を除去する工程を、複数回に亘って行うことを特徴とする微細パターンの形成方法。

Claim (excerpt)：

ホトレジストパターンを有する基板上に、被覆形成剤を被覆する工程、熱処理により該被覆形成剤を収縮させ、その収縮作用によりホトレジストパターン間の間隔を狭小せしめる工程、および上記被覆形成剤を除去する工程を、複数回に亘って行うことを特徴とする、微細パターンの形成方法。

IPC (2)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/40 511

FI (2)：

G03F 7/40 511 ,  H01L 21/30 570

F-Term (14)：

2H096AA25 ,  2H096AA27 ,  2H096BA11 ,  2H096BA20 ,  2H096EA02 ,  2H096EA03 ,  2H096EA04 ,  2H096EA05 ,  2H096EA06 ,  2H096FA01 ,  2H096GA08 ,  2H096HA05 ,  2H096JA04 ,  5F046LA18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 半導体装置の製造方法及び半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-062047   Applicant：三菱電機株式会社
• パターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-284682   Applicant：クラリアントジャパン株式会社
• 微細パターン形成材料及びこれを用いた半導体装置の製造方法並びに半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-080940   Applicant：三菱電機株式会社
• 微細パターン形成方法、微細パターン形成用材料、およびこの微細パターン形成方法を用いた半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-184815   Applicant：三菱電機株式会社
• 微細パターン形成材料並びにこれを用いた微細めっきパターン形成方法および半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-206058   Applicant：信越化学工業株式会社