3族窒化物半導体レーザ素子

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：藤谷修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996320797
Publication number (International publication number)：1998150219
Application date： Nov. 15, 1996
Publication date： Jun. 02, 1998
Summary：

【要約】【課題】p型ガイド層における光の吸収を防止してレーザ出力を向上させること。【解決手段】InGaN/GaN にて形成される活性層5を、活性層5よりも禁制帯幅の広いp型クラッド層71とストッパ層42で挟み、ストッパ層42の外側をガイド層41、その外側をクラッド層4で形成することにより、キャリアを活性層5に閉じ込め、光を活性層5とストッパ層42とガイド層41に閉じ込めた。この結果、発光波長が380〜430nmのときに光を吸収する層が光の閉じ込めを行う層に存在しないので、光の吸収による損失が無くなりレーザ出力が向上した。

Claim (excerpt)：

3族窒化物半導体により形成され、活性層と、その活性層よりも禁制帯幅の広いガイド層と、そのガイド層より禁制帯幅の広いクラッド層にて構成されるキャリア閉じ込めと光の閉じ込めを分離させたレーザ素子において、前記活性層はp型の前記クラッド層とn型の前記ガイド層に挟まれており、そのn型のガイド層は前記活性層とn型の前記クラッド層に挟まれていることを特徴とする3族窒化物半導体レーザ素子。

IPC (2)：

H01L 33/00 , H01S 3/18

FI (2)：

H01L 33/00 C , H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

半導体レーザ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-073796 Applicant：富士通株式会社
窒化物半導体レーザ素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-020420 Applicant：日亜化学工業株式会社
半導体レーザ素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-323379 Applicant：三井石油化学工業株式会社

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