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J-GLOBAL ID：200903021264165680

チョクラルスキー法による結晶製造装置、結晶製造方法、およびこの方法から製造される結晶

Inventor：
桜田 昌弘

About 桜田 昌弘

, 
太田 友彦

About 太田 友彦


Applicant, Patent owner：
信越半導体株式会社

About 信越半導体株式会社


Agent (1)： 好宮 幹夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996050897
Publication number (International publication number)：1997221379
Application date： Feb. 14, 1996
Publication date： Aug. 26, 1997
Summary：
【要約】 (修正有)【課題】 単一の装置で、結晶の成長中あるいは成長させる結晶棒間で、結晶の熱履歴、炉内温度分布を自在に変更、制御することができる結晶製造装置および結晶製造方法を提供する。【解決手段】 原料を収容するルツボと、原料を加熱溶融するヒーターと、これらを囲繞するように配置される断熱筒とを具備するチョクラルスキー法による結晶製造装置において、前記断熱筒を昇降可能に構成した。そして、同一バッチ内で2本以上の結晶棒を引き上げる場合において、成長させる結晶棒間で昇降可能に構成された断熱筒を昇降させることによりその位置を変え、結晶棒間で異なった熱履歴で結晶を成長させる。さらに、チョクラルスキー法によって結晶を引き上げる場合において、結晶成長中に、断熱筒を昇降させながら結晶を引き上げる。
Claim (excerpt)：
原料を収容するルツボと、原料を加熱溶融するヒーターと、これらを囲繞するように配置される断熱筒とを具備するチョクラルスキー法による結晶製造装置であって、前記断熱筒が昇降可能に構成されている、ことを特徴とするチョクラルスキー法による結晶製造装置。
IPC (2)：
C30B 15/00 ,  C30B 33/02
FI (2)：
C30B 15/00 Z ,  C30B 33/02
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (7)
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Cited by examiner (4)
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