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J-GLOBAL ID：200903021290240118

III族窒化物半導体結晶基板および半導体デバイス

Inventor： 岡久 拓司 ,  川瀬 智博 ,  上村 智喜 ,  西岡 志行 ,  荒川 聡
Applicant, Patent owner： 住友電気工業株式会社
Agent (7)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行 ,  荒川 伸夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007300460
Publication number (International publication number)：2009126722
Application date： Nov. 20, 2007
Publication date： Jun. 11, 2009
Summary：

【課題】抵抗率を低くでき、かつ抵抗率の面内分布の悪化を防止できるIII族窒化物半導体結晶基板を提供する。【解決手段】III族窒化物半導体結晶基板は、25mm以上160mm以下の直径を有するIII族窒化物半導体結晶基板20aである。III族窒化物半導体結晶基板20aの抵抗率が1×10-4Ωcm以上0.1Ωcm以下である。III族窒化物半導体結晶基板20aの直径方向の抵抗率の分布が-30%以上30%以下である。III族窒化物半導体結晶基板20aの厚さ方向の抵抗率の分布が-16%以上16%以下である。【選択図】図11

Claim (excerpt)：

25mm以上160mm以下の直径を有するIII族窒化物半導体結晶基板であって、 抵抗率が1×10-4Ωcm以上0.1Ωcm以下であり、 直径方向の抵抗率の分布が-30%以上30%以下であり、 厚さ方向の抵抗率の分布が-16%以上16%以下である、III族窒化物半導体結晶基板。

IPC (6)：

C30B 29/38 ,  H01L 21/205 ,  C23C 16/34 ,  H01L 33/00 ,  H01L 29/47 ,  H01L 29/872

FI (6)：

C30B29/38 D ,  H01L21/205 ,  C23C16/34 ,  H01L33/00 C ,  H01L29/48 D ,  H01L29/48 F

F-Term (43)：

4G077AA02 ,  4G077AB01 ,  4G077AB02 ,  4G077AB06 ,  4G077AB08 ,  4G077AB09 ,  4G077BE11 ,  4G077BE13 ,  4G077BE15 ,  4G077DB04 ,  4G077EB01 ,  4G077FJ06 ,  4G077HA02 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4K030AA03 ,  4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030AA17 ,  4K030BA38 ,  4K030BB02 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA08 ,  4K030EA01 ,  4K030FA10 ,  4K030KA03 ,  4K030LA14 ,  4M104AA04 ,  4M104FF31 ,  4M104GG03 ,  4M104HH20 ,  5F041AA40 ,  5F041CA40 ,  5F041CA49 ,  5F041CA57 ,  5F041CA64 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AC08 ,  5F045AC19 ,  5F045AF04 ,  5F045BB06

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• III族窒化物半導体基板およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-004142   Applicant：住友電気工業株式会社
• 大面積で均一な低転位密度GaN基板およびその製造プロセス
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2006-540022   Applicant：クリーインコーポレイテッド
• III-V族窒化物系半導体基板及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-356699   Applicant：日立電線株式会社

Cited by examiner (3)

• III族窒化物半導体基板およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-004142   Applicant：住友電気工業株式会社
• III族窒化物半導体結晶の成長方法、III族窒化物半導体結晶基板の製造方法およびIII族窒化物半導体結晶基板
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2007-300461   Applicant：住友電気工業株式会社
• III族窒化物半導体結晶の成長方法、III族窒化物半導体結晶基板の製造方法およびIII族窒化物半導体結晶基板
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2007-300459   Applicant：住友電気工業株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 財団法人新機能素子研究開発協会委託調査 GaNパワー用結晶材料・デバイスに関する技術調査報告書(要約, 20070330, p.9-17

Cited by examiner (1)

• 財団法人新機能素子研究開発協会委託調査 GaNパワー用結晶材料・デバイスに関する技術調査報告書(要約, 20070330, p.9-17