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J-GLOBAL ID：200903021408752496

高分子化合物、レジスト材料、及びパターン形成方法

Inventor：
西 恒寛

About 西 恒寛

, 
長谷川 幸士

About 長谷川 幸士

, 
金生 剛

About 金生 剛


Applicant, Patent owner：
信越化学工業株式会社

About 信越化学工業株式会社


Agent (1)： 小島 隆司 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002244664
Publication number (International publication number)：2003147023
Application date： Aug. 26, 2002
Publication date： May. 21, 2003
Summary：
【要約】【解決手段】 一般式(1)で示される繰り返し単位と、アダマンタン構造又はテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカン構造を含む酸分解性保護基によって保護されたカルボン酸を有する繰り返し単位とを含む重量平均分子量1,000〜500,000の高分子化合物。【化1】(R1はH又はCH3、R2はH又はC1〜8のアルキル基を示す。R3はCO2R4を示す。R4はC1〜15のアルキル基又は該アルキル基の任意の炭素-炭素結合間に1個又は複数個の酸素原子が挿入された基を示す。)【効果】 本発明の高分子化合物をベース樹脂としたレジスト材料は、高エネルギー線に感応し、感度、解像性、エッチング耐性に優れているため、電子線や遠紫外線による微細加工に有用である。
Claim (excerpt)：
下記一般式(1)で示される繰り返し単位と、アダマンタン構造又はテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカン構造を含む酸分解性保護基によって保護されたカルボン酸を有する繰り返し単位とを含むことを特徴とする重量平均分子量1,000〜500,000の高分子化合物。【化1】(式中、R1は水素原子又はメチル基を示す。R2は水素原子又は炭素数1〜8の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。R3はCO2R4を示す。R4は炭素数1〜15の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基又は該アルキル基の任意の炭素-炭素結合間に1個又は複数個の酸素原子が挿入された基を示す。)
IPC (4)：
C08F220/28 ,  C08F220/18 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/027
FI (4)：
C08F220/28 ,  C08F220/18 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/30 502 R
F-Term (24)：
2H025AA02 ,  2H025AA09 ,  2H025AA14 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB14 ,  2H025CB41 ,  2H025CB55 ,  2H025FA12 ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100BA11P ,  4J100BC07Q ,  4J100BC09Q ,  4J100BC53P ,  4J100CA04 ,  4J100FA03 ,  4J100FA19 ,  4J100JA38
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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