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J-GLOBAL ID：200903021459019513

化合物半導体発光素子ウェハーの製造方法

Inventor：
楠木 克輝

About 楠木 克輝


Applicant, Patent owner：
昭和電工株式会社

About 昭和電工株式会社


Agent (5)： 青木 篤 ,  石田 敬 ,  古賀 哲次 ,  小林 良博 ,  西山 雅也
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005121297
Publication number (International publication number)：2005333122
Application date： Apr. 19, 2005
Publication date： Dec. 02, 2005
Summary：
【課題】 化合物半導体発光素子ウェハーの表面に汚れが付着していない高品質な化合物半導体ウェハーの製造方法を提供すること。【解決手段】 基板上に多数の化合物半導体発光素子が分離帯域を介して規則的に且つ連続的に配列された化合物半導体発光素子ウェハーの表面(半導体側)および/または背面に保護膜を形成する工程、保護膜が形成された面の分離帯域にレーザー法でレーザー照射部にガスを噴きつけつつ割溝を形成する工程、および該保護膜の少なくとも一部を除去する工程をこの順序で含むことを特徴とする化合物半導体発光素子ウェハーの製造方法。【選択図】図2
Claim (excerpt)：
基板上に多数の化合物半導体発光素子が分離帯域を介して規則的に且つ連続的に配列された化合物半導体発光素子ウェハーの表面(半導体側)および/または背面に保護膜を形成する工程、保護膜が形成された面の分離帯域にレーザー法でレーザー照射部にガスを噴きつけつつ割溝を形成する工程、該保護膜の少なくとも一部を除去する工程をこの順序で含むことを特徴とする化合物半導体発光素子ウェハーの製造方法。
IPC (4)：
H01L21/301 ,  B23K26/00 ,  B23K26/14 ,  B23K26/18
FI (6)：
H01L21/78 Q ,  B23K26/00 D ,  B23K26/14 A ,  B23K26/18 ,  H01L21/78 B ,  H01L21/78 S
F-Term (12)：
4E068AA01 ,  4E068AD01 ,  4E068CA09 ,  4E068CA11 ,  4E068CA17 ,  4E068CF03 ,  4E068CG01 ,  4E068CG02 ,  4E068CH08 ,  4E068CJ01 ,  4E068CJ04 ,  4E068DA10
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (10)
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Cited by examiner (7)
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