半導体レーザ

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：柳田征史 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996187353
Publication number (International publication number)：1998032364
Application date： Jul. 17, 1996
Publication date： Feb. 03, 1998
Summary：

【要約】【課題】分離閉じ込めヘテロ構造のIII-V族半導体レーザにおいて、高出力発振下における信頼性を向上させる。【解決手段】 n-GaAs基板1上に、n-Inx4(Ga1-z4Alz4)1-x4As1-y4Py4 クラッド層2、n-Inx3(Ga1-z3Alz3)1-x3As1-yPy光導波層3、Inx2(Ga1-z2Alz2)1-x2As1-yPy圧縮歪障壁層4、Inx1Ga1-x1As1-yPy 引張り歪量子井戸活性層5、Inx2(Ga1-z2Alz2)1-x2As1-yPy圧縮歪障壁層6、p-Inx3(Ga1-z3Alz3)1-x3As1-yPy光導波層7、p-Inx4(Ga1-z4Alz4)1-x4As1-y4Py4 クラッド層8、p-GaAsコンタクト層9を順次成長させる。なお、障壁層4、6は、活性層5の引張り歪を補償する歪量の圧縮歪を有するものとする。

Claim (excerpt)：

GaAs基板上に、少なくとも第一導電型クラッド層、第一光導波層、第一障壁層、量子井戸活性層、第二障壁層、第二光導波層および第二導電型クラッド層が順次積層されてなる分離閉じ込めヘテロ構造のIII-V族半導体レーザにおいて、前記量子井戸活性層が、V族組成としてAs,P 元素を含む、前記GaAs基板に対して引張り歪を有する組成からなり、前記量子井戸活性層を挟む前記第一および第二障壁層が、In,Ga,Al,As,Pの5元を含む、前記引張り歪を補償する圧縮歪を有する組成からなり、前記第一および第二光導波層が、In,Ga,Al,As,P の5元を含む、前記GaAs基板に格子整合する組成からなり、前記第一および第二導電型クラッド層が、前記GaAs基板に格子整合する組成からなり、前記量子井戸活性層と、前記第一および第二障壁層と、前記第一および第二光導波層とのV族組成As, P が同じ組成比であることを特徴とするIII-V族半導体レーザ。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

半導体レーザ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-122379 Applicant：富士写真フイルム株式会社
半導体レーザ素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-320021 Applicant：三洋電機株式会社
特開平4-039986

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