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J-GLOBAL ID：200903021797479171

薄膜トランジスタ

Inventor：
アナンス ドダバラプア

About アナンス ドダバラプア


Applicant, Patent owner：
ルーセント テクノロジーズ インコーポレーテッド

About ルーセント テクノロジーズ インコーポレーテッド


Agent (1)： 岡部 正夫 (外11名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999233342
Publication number (International publication number)：2000068523
Application date： Aug. 20, 1999
Publication date： Mar. 03, 2000
Summary：
【要約】【課題】 TFTデバイスが倒置構造を持つ電界効果トランジスタである薄膜トランジスタ集積回路について記載する。【解決手段】 相互接続レベルは、トランジスタの製造の前に作られる。このような構造であるので、処理の柔軟性が向上する。このような倒置構造にできたのは、デバイスの製造を単結晶の半導体能動材料でスタートしなければならないための、従来の半導体電界効果デバイスの製造の際の制限がなくなったためである。倒置構造の場合、好適には、有機半導体であることが好ましい能動材料が、製造工程の最後に形成される。
Claim (excerpt)：
集積回路(IC)デバイスであって、a.その頂部面が絶縁材料を含む基板と、b.前記基板上の、少なくとも一つの導電性相互接続回路と、c.前記の少なくとも一つの相互接続回路を覆っている絶縁層と、d.それぞれがソース、ドレインおよびゲートを持つ、前記絶縁層上に形成された複数の電界効果トランジスタとを備え、前記ソース、ドレインおよびゲートの中の少なくともあるものが、前記相互接続回路により相互に接続しているICデバイス。
IPC (3)：
H01L 29/786 ,  H01L 27/12 ,  H01L 51/00
FI (4)：
H01L 29/78 626 C ,  H01L 27/12 C ,  H01L 29/28 ,  H01L 29/78 618 B
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (7)
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