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J-GLOBAL ID：200903022141601376

ポジ型レジスト組成物及びパターン形成方法

Inventor：
樽谷 晋司

About 樽谷 晋司

, 
和田 健二

About 和田 健二

, 
椿 英明

About 椿 英明


Applicant, Patent owner：
富士フイルム株式会社

About 富士フイルム株式会社


Agent (2)： 高松 猛 ,  矢澤 清純
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008187728
Publication number (International publication number)：2009048182
Application date： Jul. 18, 2008
Publication date： Mar. 05, 2009
Summary：
【課題】本発明は、同一のレジスト膜上に複数回露光を行う多重露光プロセスにおいて、パターン解像性とライン幅ラフネスが良好である、多重露光に好適な、ポジ型レジスト組成物を用いたパターン形成方法を提供する。【解決手段】(A)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、(B)芳香族基を有さない共重合成分を80モル%以上含有し、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂及び(C)酸の作用により分解し、酸を発生する化合物を含有し、(A)成分から発生する酸と、(C)成分から発生する酸のpKaの差の絶対値が2以下であり、かつ、分子量の差の絶対値が50以下であるポジ型レジスト組成物、及び、該組成物を用い、同一のレジスト膜に対して、複数回の露光を行い、少なくとも一つの、露光と露光との間において、レジスト膜を加熱する工程を有するパターン形成方法。【選択図】なし
Claim (excerpt)：
(A)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、 (B)芳香族基を有さない共重合成分を80モル%以上含有し、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂及び (C)酸の作用により分解し、酸を発生する化合物 を含有し、(A)成分から発生する酸と、(C)成分から発生する酸のpKaの差の絶対値が2以下であり、かつ、分子量の差の絶対値が50以下であることを特徴とするポジ型レジスト組成物。
IPC (3)：
G03F 7/039 ,  G03F 7/004 ,  H01L 21/027
FI (3)：
G03F7/039 601 ,  G03F7/004 503A ,  H01L21/30 502R
F-Term (17)：
2H025AA04 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC05 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE07 ,  2H025BE10 ,  2H025BF02 ,  2H025BG00 ,  2H025CC20 ,  2H025FA01 ,  2H025FA04 ,  2H025FA10 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2)
  • 国際公開第04/077158号パンフレット
  • レジストパタン形成方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-175821   Applicant：学校法人東京電機大学
Cited by examiner (5)
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