パタン位置歪の算出方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山川政樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996026604
Publication number (International publication number)：1997218032
Application date： Feb. 14, 1996
Publication date： Aug. 19, 1997
Summary：

【要約】【課題】より簡単に、パタンの位置ずれをシミュレートできるようにすることを目的とする。【解決手段】抜きパタン32密度により発生するマスクの変形を算出する。すなわち、抜きパタン32の密度に応じ、これが形成されるマスク基板31上の吸収体の膜厚が変化しているとして、マスクの変形を算出する。

Claim (excerpt)：

周辺を支持体で支えられ、X線を良く透過する材料からなるマスク基板と、X線を遮断する吸収体からなり前記基板上に形成されたパタンとから構成されたX線マスクの前記パタン位置の変位状態をシミュレートするパタン位置歪算出方法において、前記パタンの密度分布に対応して前記吸収体の膜厚が分布しているものとして前記パタンの変位状態を算出することを特徴とするパタン位置歪の算出方法。

IPC (2)：

G01B 15/00 , G01B 21/32

FI (2)：

G01B 15/00 A , G01B 21/32

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

X線露光用マスクの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-139382 Applicant：富士通株式会社
X線マスクの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-120330 Applicant：日本電気株式会社
X線露光用マスク
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-121829 Applicant：株式会社ソルテック, 凸版印刷株式会社

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