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J-GLOBAL ID:200903022172779033
太陽電池素子
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002073058
Publication number (International publication number):2003273377
Application date: Mar. 15, 2002
Publication date: Sep. 26, 2003
Summary:
【要約】【課題】 半田盛りによってセル割れが発生することを解消でき、且つ特性の低下を招くことなく最小限の工程で製造できる太陽電池を提供する。【解決手段】 半導体基板の一主面側と他の主面側に異なる導電領域を形成して、一主面側に表面電極を形成するとともに、他の主面側に帯状の電極取出部とこの電極取出部以外の部分に形成された集電極部とから成る裏面電極を形成した太陽電池素子であって、上記帯状電極取出部を長手方向および/または短手方向に複数に分割すると共に、この分割した電極取出部の周辺部が上記集電極部上に位置するように形成した。
Claim (excerpt):
半導体基板の一主面側と他の主面側に異なる導電領域を形成して、一主面側に表面電極を形成するとともに、他の主面側に帯状の電極取出部とこの電極取出部以外の部分に形成された集電極部とから成る裏面電極を形成した太陽電池素子において、前記帯状電極取出部を長手方向および/または短手方向に複数に分割すると共に、この分割した電極取出部の周辺部が前記集電極部上に位置するように形成したことを特徴とする太陽電池素子。
F-Term (12):
5F051AA02
, 5F051BA17
, 5F051CB20
, 5F051CB27
, 5F051DA03
, 5F051EA02
, 5F051EA11
, 5F051FA10
, 5F051FA13
, 5F051FA15
, 5F051FA22
, 5F051GA04
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
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太陽電池素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-229397
Applicant:京セラ株式会社
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太陽電池素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-161508
Applicant:京セラ株式会社
-
太陽電池素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-195880
Applicant:京セラ株式会社
-
太陽電池素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-392772
Applicant:京セラ株式会社
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半導体装置の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-142377
Applicant:三菱電機株式会社
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