半導体素子及びその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：外川英明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998241355
Publication number (International publication number)：2000077544
Application date： Aug. 27, 1998
Publication date： Mar. 14, 2000
Summary：

【要約】【課題】本発明は、強誘電体膜からシリコン基板への金属元素の拡散を防ぎ、かつ良好な界面特性、膜特性を与えるバッファ層を備えた半導体素子及びその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】本発明は、シリコン基板と、このシリコン基板上に形成されたSiON膜と、このSiON膜上に形成された強誘電体膜とを具備することを特徴とする半導体素子を提供する。

Claim (excerpt)：

シリコン基板と、このシリコン基板上に形成されたSiON膜と、このSiON膜上に形成された強誘電体膜とを具備することを特徴とする半導体素子。

IPC (5)：

H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 21/265 , H01L 27/10 451

FI (3)：

H01L 29/78 371 , H01L 27/10 451 , H01L 21/265 J

F-Term (23)：

5F001AA17 , 5F001AD12 , 5F001AD60 , 5F001AD62 , 5F001AG10 , 5F001AG12 , 5F001AG21 , 5F001AG23 , 5F083FR06 , 5F083JA05 , 5F083JA14 , 5F083JA15 , 5F083JA17 , 5F083JA19 , 5F083JA38 , 5F083JA43 , 5F083NA01 , 5F083NA02 , 5F083PR03 , 5F083PR15 , 5F083PR21 , 5F083PR33 , 5F083PR36

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

不揮発性半導体記憶装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-142365 Applicant：日本電気株式会社
特開平4-354368
半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-135749 Applicant：ソニー株式会社

Show all

Return to Previous Page