Pat
J-GLOBAL ID：200903022336497808
多孔質半導体電極の形成方法、色素増感型太陽電池用電極基板の製造方法、色素増感型太陽電池用電極基板、及び色素増感型太陽電池
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
吉村 俊一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003379021
Publication number (International publication number)：2005142089
Application date： Nov. 07, 2003
Publication date： Jun. 02, 2005
Summary：
【課題】 所望形状の多孔質半導体電極を比較的高い生産性の下に形成することが可能な多孔質半導体電極の形成方法を提供する。【解決手段】 塗布液の吐出口又はその近傍に設けた電極に電圧を印加して塗布液を吐出する方法である電界ジェット法により、多数の半導体微粒子を含有した塗布液を被塗工物に塗工して塗膜を形成し、この塗膜中の半導体微粒子を前記被塗工物に定着させることによって多孔質半導体電極を形成する。【選択図】 なし
Claim (excerpt)：
塗布液の吐出口又はその近傍に設けた電極に電圧を印加して塗布液を吐出する方法である電界ジェット法により、多数の半導体微粒子を含有した塗布液を被塗工物に塗工して塗膜を形成する第1工程と、
前記塗膜中の半導体微粒子を前記被塗工物に定着させる第2工程と、
を含むことを特徴とする多孔質半導体電極の形成方法。
IPC (2)：
FI (2)：
H01M14/00 P
, H01L31/04 Z
5F051AA14
, 5F051CB13
, 5F051FA04
, 5H032AA06
, 5H032AS16
, 5H032BB05
, 5H032BB10
, 5H032CC16
, 5H032EE07
, 5H032EE16
Cited by applicant (2)
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光電変換素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2001-122780
Applicant：シャープ株式会社
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半導体電極の製造方法、半導体電極、およびその用途
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2000-321170
Applicant：富士写真フイルム株式会社
Cited by examiner (3)
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