成膜方法及びその装置

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：浅井章弘
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997065453
Publication number (International publication number)：1998247627
Application date： Mar. 04, 1997
Publication date： Sep. 14, 1998
Summary：

【要約】【課題】成膜の再現性、成膜ストレスの緩和及び成膜中への酸素の拡散を防止することができる成膜方法を提供する。【解決手段】同一処理室20内において被処理体Wの表面に種類の異なる少なくとも2種類の成膜を連続的に形成するに際して、前記処理室内に前記被処理体を設置しない状態において前記成膜を行なうための異なる成膜用ガスを順次流して前記処理室内にプリコートを施す前処理ステップと、この前処理に続いて前記処理室内に前記被処理体を設置した状態で前記異なる成膜用ガスを順次流して種類の異なる成膜を順次連続的に行なう成膜ステップと、この成膜ステップに続いてシラン系ガスを流して前記被処理体にシリコンを付着させる後処理ステップとを有するように構成したものである。これにより、成膜時の再現性を高く維持し、且つ成膜ストレスを抑制する。

Claim (excerpt)：

同一処理室内において被処理体の表面に種類の異なる少なくとも2種類の成膜を連続的に形成するに際して、前記処理室内に前記被処理体を設置しない状態において前記成膜を行なうための異なる成膜用ガスを順次流して前記処理室内にプリコートを施す前処理ステップと、この前処理に続いて前記処理室内に前記被処理体を設置した状態で前記異なる成膜用ガスを順次流して種類の異なる成膜を順次連続的に行なう成膜ステップと、この成膜ステップに続いてシラン系ガスを流して前記被処理体にシリコンを付着させる後処理ステップとを有することを特徴とする成膜方法。

IPC (4)：

H01L 21/28 301 , H01L 21/205 , H01L 29/43 , H01L 29/78

FI (4)：

H01L 21/28 301 D , H01L 21/205 , H01L 29/62 G , H01L 29/78 301 G

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

処理装置及びそのクリーニング方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-256505 Applicant：東京エレクトロン株式会社
真空処理装置集合体のクリーニング方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-256506 Applicant：東京エレクトロン株式会社
成膜処理装置及び成膜処理方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-079954 Applicant：東京エレクトロン株式会社, テル・エンジニアリング株式会社

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